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肖正

作品数：7 被引量：12H指数：2
供职机构：长沙理工大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金：湖南省高校科技创新团队支持计划湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 3篇抑制比
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇低压差
  • 2篇低压差线性稳...
  • 2篇电路
  • 2篇电压基准
  • 2篇电压基准源
  • 2篇电源电压
  • 2篇电源电压抑制...
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅控
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇瞬态响应
  • 2篇探测器
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇透明电极
  • 2篇稳压
  • 2篇稳压器

机构

  • 7篇长沙理工大学

作者

  • 7篇肖正
  • 6篇唐俊龙
  • 6篇谢海情
  • 3篇陈希贤
  • 2篇彭润伍

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇半导体技术

年份

  • 4篇2016
  • 3篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种高电源抑制比的全MOS电压基准源设计被引量：5
2015年
基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源。为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了高电源电压抑制比的输出电压。对电路进行仿真,当电源电压大于1.5V时,电路进入正常工作状态;在1.8V电源电压下,-20℃~120℃范围内,温度系数为1.04×10^-5/℃,该电压基准源的输出电压为0.688 V;低频时,电源电压抑制比达到-159.3dB,在1MHz时电源电压抑制比为-66.8dB,功耗小于9.83μW。该电压基准源能应用于高电源电压抑制比、低功耗的LDO电路中。
唐俊龙肖正周斌腾谢海情
关键词：电源电压抑制比基准源
一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路被引量：2
2016年
提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35μm 5V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64μm×136μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53V;电源电压在3.4~5.5V范围内,线性调整率为97.8μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2dB,在100 Hz处为-123.3dB,在1kHz处为103.3dB;环境温度在-45℃~125℃范围内,平均温度系数为8.7×10^(-6)/℃。
唐俊龙肖正谢海情周斌腾曾承伟陈希贤
关键词：电压基准源电源电压抑制比温度稳定性
高瞬态响应高电源抑制比LDO
近年来，随着信息技术的发展，基于片上系统的便携式电子设备迅速普及。与此同时，集成电路工艺尺寸不断缩小，片上系统集成的功能模块不断增加，处理器主频越来越快。电源管理作为片上系统的基础模块成为模拟集成电路研究的热点。直流稳压...
肖正
关键词：低压差线性稳压器电源抑制比瞬态响应
透明电极栅控横向PIN蓝紫光探测器及其制备方法
本发明公开了一种透明电极栅控横向PIN蓝紫光探测器及其制备方法，探测器包括P型衬底中通过N阱与深N阱隔离形成反P阱，反P阱内设N<Sup>+</Sup>区和P<Sup>+</Sup>区，反P阱位于N<Sup>+</Sup...
谢海情唐俊龙彭润伍曾承伟肖正周斌腾
文献传递
一种低温漂低电源电压调整率的基准电流源被引量：3
2016年
利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40℃～100℃的温度范围内,电流变化为2.4nA,温度系数为7.49×10^（-6）/℃;在3.0～5.5V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096nA/V;在5V工作电压下,输出基准电流为2.301μA,电路功耗为0.08mW,低频时电源电压抑制比为-57.47dB。
唐俊龙周斌腾谢海情肖正曾承伟陈希贤
关键词：基准电流源低温漂低功耗
透明电极栅控横向PIN蓝紫光探测器及其制备方法
本发明公开了一种透明电极栅控横向PIN蓝紫光探测器及其制备方法，探测器包括P型衬底中通过N阱与深N阱隔离形成反P阱，反P阱内设N<Sup>+</Sup>区和P<Sup>+</Sup>区，反P阱位于N<Sup>+</Sup...
谢海情唐俊龙彭润伍曾承伟肖正周斌腾
文献传递
高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO的设计被引量：2
2016年
基于Nuvoton 0.5μm 5 V标准CMOS工艺,设计了一种高稳定性、高瞬态响应、无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。电路中引入了过冲、欠冲电压改善模块,用来削减过/欠充电压,互不干扰。过冲电压改善电路将LDO输出电压与参考电压进行比较,过冲状态下开启从LDO输出端到地的快速放电通路,欠冲电压改善电路通过电容耦合获得反映LDO输出电压瞬态变化的采样信号,经反向放大后加速功率管栅极电容放电,进而通过功率管对LDO输出电容充电。仿真结果表明,在TT工艺角下该低压差线性稳压器的空载相位裕度为64.57°,满载相位裕度为62.58°,过冲电压为40 m V,欠冲电压为97.6 m V,线性调整率为0.733‰;负载调整率19μV/m A;电源电压抑制比(PSRR)为-73 d B。
谢海情肖正唐俊龙周斌腾曾承伟陈希贤
关键词：瞬态响应低压差线性稳压器无片外电容
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