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张培建

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇量子
  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极型...
  • 1篇失配位错
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇频率特性
  • 1篇区块
  • 1篇子层
  • 1篇线阵列
  • 1篇量子点
  • 1篇量子限制效应
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇金薄膜
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘体上硅

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇重庆中科渝芯...

作者

  • 4篇张培建
  • 1篇刘健
  • 1篇杨永晖
  • 1篇陈文锁
  • 1篇张磊

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种合金薄膜成分的测试方法
本申请提供一种合金薄膜成分的测试方法，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成材料相同且相互独立的合金薄膜第一区块和多个合金薄膜第二区块，合金薄膜第二区块之间的距离小于合金薄膜的特征扩散长度；对各个合金薄膜第二区块进行光学表征...
钱坤张培建 易孝辉 唐新悦
一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法及Si/SiGe纳米线阵列
本发明公开了一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法，包括：在Si衬底上依次外延N型Si次集电极，选区外延N型Si集电极；干法刻蚀N‑Si集电极纳米阵列；淀积P+SiGe层形成Si/SiGe基区纳米阵列；选择性外延多晶N+...
钱坤张培建 朱坤峰 常小宇 唐新悦 易孝辉 洪敏刘健杨永晖 臧剑栋张磊
超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT
2016年
提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技术,关键工艺的具体实现步骤也进行了讨论。器件+电路联合仿真实验说明:新器件STISOI-LIGBT完全消除了正向导通过程中的负微分电阻现象,与常规结构LIGBT相比,正向压降略微增加6%,而关断损耗大幅降低86%。此外,对关键参数的仿真结果说明新器件还具有工艺容差大的设计优点。新器件STI-SOI-LIGBT非常适用于SOI基高压功率集成电路。
陈文锁张培建钟怡
关键词：功率集成电路
一种锗硅异质结双极型晶体管及其制备方法
本申请提供一种锗硅异质结双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次生长集电极层和基极层，得到第一样品；在所述第一样品远离所述衬底的表面制作一层碳量子点层，使得所述碳量子层与所述基极层形成原子级接...
钱坤张培建 易孝辉 唐新悦
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