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CeO_2纳米粒子抛光液分散稳定性及其化学机械抛光特性研究被引量：17: 2016年; 目的制备性能优良的CeO_2纳米粒子抛光液。方法通过使用不同种类及不同浓度的分散剂制备了一种良好的CeO_2纳米粒子抛光液,采用激光粒度仪,紫外可见分光光度仪等对其进行了表征,进而研究了其在石英玻璃片化学机械抛光中的特性。结果不同分散剂的分散作用不同,且分散剂的浓度直接影响分散效果。离子型分散剂主要通过静电稳定作用实现抛光液的分散稳定,而非离子型分散剂则通过空间位阻作用实现抛光液的分散稳定。阴离子型分散剂与非离子型分散剂的分散稳定效果明显强于阳离子型分散剂,而阴离子型分散剂与非离子型分散剂混合复配后的分散稳定效果又强于单一分散剂的效果。结论混合复配型分散剂配制的CeO_2纳米粒子抛光液静置72 h后仍分散均一稳定,基本可以满足抛光液分散稳定性能的要求。配制的CeO_2纳米粒子抛光液在石英玻璃化学机械抛光中主要通过纳米粒子的吸附作用实现材料的去除,抛光后的石英玻璃表面无划痕,表面粗糙度可以达到10 nm左右,有效提高了石英玻璃的抛光质量。; 陈广林刘德福陈涛佘亦曦; 关键词：抛光液分散性化学机械抛光吸光度 ZETA电位

阵列光纤组件端面的化学机械抛光试验研究被引量：3: 2015年; 目的设计合理的抛光工艺方案,获得平整的阵列光纤组件端面。方法采用单因素实验法研究抛光工艺参数对阵列光纤表面粗糙度与光纤凸起量的影响,利用光学表面轮廓仪与扫描电镜进行分析与观察。结果在抛光液磨粒质量分数为2%,抛光液流量为15 m L/min,抛光压力为50 k Pa,抛光盘转速为30 r/min的条件下,可以获得平整的阵列光纤组件端面。结论应用化学机械抛光技术加工阵列光纤组件,并设计合理工艺方案,可获得平整的阵列光纤组件端面,其表面粗糙度可低至42.6 nm,光纤凸起值可低至0.14μm。; 邹文兵刘德福胡庆陈广林; 关键词：化学机械抛光表面粗糙度

软性粒子抛光石英玻璃的材料去除机理被引量：7: 2016年; 基于阿伦尼乌斯原理和分子振动理论,分析了软性抛光粒子、石英玻璃和抛光垫之间的弹性与超弹性接触,研究了用软性粒子抛光石英玻璃的材料去除机理。基于理论研究进行了大量的抛光试验,建立了软性粒子抛光石英玻璃的材料去除率模型。理论计算与试验结果表明:在石英玻璃化学机械抛光中,材料的去除主要由抛光粒子与石英玻璃的界面摩擦化学腐蚀作用来实现;单个抛光粒子压入石英玻璃的深度约为0.05nm,且材料去除为分子量级;石英玻璃表层的分子更易获得足够振动能量而发生化学反应实现材料的去除;抛光压力、抛光液中化学试剂种类和浓度以及石英玻璃试件与抛光盘的相对运动速度决定了软性粒子抛光石英玻璃的材料去除率大小。; 刘德福陈涛陈广林胡庆; 关键词：石英玻璃化学机械抛光材料去除机理

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陈广林