为了提高MLC NAND Flash的抗误码性能,该文提出一种基于优化缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制方法。优化缩短极化码通过优化删减图样得到,首先通过比特翻转重排序的方式得到基本删减图样,进而选择具有更低信道容量的冻结比特组成优化删减图样,使得到的删减比特全为冻结比特,可以显著提高删减算法的纠错性能。同时,根据MLC单元错误的不对称性,采用码率自适应的码字对FLASH中MSB和LSB进行不等错误保护。仿真结果表明:当误帧率为310-时,优化缩短极化码较相同码长的LDPC码和基本缩短极化码分别约有3.72~5.89 d B和1.47~3.49 d B增益;相比基于同一码率的优化缩短极化码方案,不等错误保护的差错控制方案获得约0.25 d B增益。
为了提高多元低密度奇偶校验（LDPC,low density parity-check）码符号翻转译码算法的性能并降低译码的复杂度,提出了基于平均概率和停止准则的多元LDPC码加权符号翻转译码（APSCWSF,average probability and stopping criterion weighted symbol flipping）算法。该算法将校验节点邻接符号节点的平均概率信息作为权重,使翻转函数更加有效,提高符号的翻转效率,进而改善译码性能。并且通过设置迭代停止准则进一步加快算法的收敛速度。仿真结果显示,在加性高斯白噪声信道下,误符号率为10-5时,相比WSF算法、NSCWSF算法（Osc=10）和NSCWSF算法（Osc=6）,APSCWSF算法（Osc=10）分别获得约0.68 d B、0.83 d B和0.96 d B的增益。同时,APSCWSF算法（Osc=6）的平均迭代次数也分别降低78.60%~79.32%、74.89%~75.95%和67.20%~70.80%。
