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李学文

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：国防科学技术大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇气体流量
  • 1篇均匀性
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇NH
  • 1篇SIH
  • 1篇LPCVD

机构

  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇彭志坚
  • 1篇李学文

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiH_2Cl_2-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺被引量：1
2008年
以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺。通过调节淀积温度、工艺气体流量、工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性、应力、耐腐蚀等方面均达到了使用要求。
李学文彭志坚
关键词：氮化硅薄膜LPCVD气体流量均匀性
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共1页<1>
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