孙云华
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
- 2012年
- 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A、VHDL-A。这使得仿真速度和收敛性得到提高。同时比较了三种先进的BJT模型:VBIC、Mextram、HICUM。模型参数可以通过模型参数提取软件(BSIMProPlus、ICCAP等)提取。
- 高国平蒋婷韩兆芳孙云华
- 关键词：NMOSSNAPBACKESD
- 一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计被引量：1
- 2016年
- 随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件。但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低,使得器件更容易受到ESD损伤。采用传统的ESD结构会显著增加节点电容,节点电容的增加会限制电路接口速率的增加。采用中芯国际(SMIC)0.13μm工艺,设计实现了一种ESD保护电路,I/O端口翻转速率达到2 Gbps,对人体模型耐压达到2000 V。经过仿真验证、流片验证,设计的结构达到了该芯片抗静电能力以及端口高速传输速率的要求。
- 孙云华邹家轩
- 关键词：ESDGGNMOS
