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史党院

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：空军工程大学理学院更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇单电子晶体管
  • 3篇晶体管
  • 2篇滤波器
  • 2篇传输特性
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇设计实现
  • 1篇数学模型
  • 1篇特性分析
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇纳米线
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇积分器
  • 1篇集成滤波器
  • 1篇二阶带通滤波...
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇空军工程大学

作者

  • 4篇蔡理
  • 4篇史党院
  • 2篇康强
  • 2篇邵一丹

传媒

  • 1篇微计算机信息
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 2篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析被引量：1
2007年
本文基于一种单电子晶体管数学模型(改进的MIB模型),实现其SPICE宏模型。提出一种改进型SET/CMOS混合器件模型,并用SPICE对其I-V特性进行了仿真验证,仿真结果证实了电流与电压具有线性关系。此混合模型的线性电流区可以在积分器以及滤波器电路中得到应用。
史党院蔡理邵一丹
关键词：单电子晶体管SPICE
SET/CMOS混合器件研究
2007年
阐述了纳米线和纳米管电子器件的研究状况,对两种SET/CMOS基本混合器件的结构和应用以及仿真实现方法进行了论述。总结了SET/CMOS混合器件的特点。对纳米电子器件的发展进行了展望。
史党院蔡理邵一丹
关键词：纳米管纳米线单电子晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管
一种SETMOS二阶带通滤波器设计实现
2012年
单电子晶体管（SET）作为一种纳电子器件有着较大的优势，将SET与纳米MOS混合构成的器件（SETMOS）是目前研究的热点之一。SETMOS作为一种新的混合器件，在结合了两者优点的同时，具有与SET一样的库仑振荡特性和MOS高增益等特性。文章基于一种sETM0s混合结构的电压电流特性的数学模型，设计并实现了一种SETMOS二阶带通滤波器，阐述了这种SETMOS带通滤波器的结构、工作条件、性能、参数和特点，并用PSpice对其传输特性进行了仿真验证，结果证明，SETMOS在其通带范围内具有良好的带通幅频特性，且具有低电压、低功耗和高频的特点。
蔡理康强史党院
关键词：带通滤波器传输特性
基于SETMOS混合器件积分器性能的研究
集成电路的集成度不断攀升，集成化器件的特征尺寸已进入纳米级。单电子晶体管(SET)作为一种纳电子器件有着较大的优势，将SET与纳米MOS混合构成的器件(SETMOS)是目前研究的热点之一。SETMOS作为一种新的混合器件...
蔡理康强史党院
关键词：传输特性单电子晶体管集成滤波器数学模型积分器
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