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郑力

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：西北大学信息科学与技术学院更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子结构
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇子结构
  • 1篇计算方法
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇DFT

机构

  • 2篇西北大学

作者

  • 2篇贠江妮
  • 2篇李洋
  • 2篇张志勇
  • 2篇苗伟
  • 2篇郑力
  • 2篇苗亚宁

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
缺陷对石墨烯电子结构的影响被引量：5
2011年
基于第一性原理计算方法,通过密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现,多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态对应的能带,并导致其能隙有不同程度的增大,而且与之对应的态密度也随之发生相应的变化。其中,Stone-Wales缺陷使石墨烯带隙由0 eV增至0.637 eV,单空位缺陷使带隙由0 eV增至1.591 eV,双空位缺陷使带隙由0 eV增至1.207 eV。
苗亚宁苗伟郑力李洋贠江妮张志勇
关键词：石墨烯电子结构DFT
缺陷对石墨烯电子结构的影响
基于第一性原理计算方法，通过密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现，多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态...
苗亚宁苗伟郑力李洋贠江妮张志勇
关键词：半导体材料石墨烯电子结构计算方法
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