赵而敬
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 300mm硅片高温退火工艺的研究
- 高温退火工艺可以消除硅片近表层的COP,使得近表层晶体结构更加完美。本文研究了高温退火工艺参数变化对300mm硅片COP消除效果的影响,分析了高温退火温度和恒温时间对COP-FREE层厚度的影响,通过直接表面氧化层缺陷(...
- 冯泉林李宗峰赵而敬王磊肖清华张果虎
- 关键词：高温退火
- 高温氩退火对提高Si片质量的研究
- 2013年
- 首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。
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- 关键词：直拉单晶硅
