薛飞
- 作品数：23 被引量：13H指数：2
- 供职机构：江西科技学院更多>>
- 发文基金：江西省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 一种设有水热式恒温融蜡箱的蜡型3D打印机
- 本实用新型涉及一种蜡型3D打印机，具体涉及一种设有水热式恒温融蜡箱的蜡型3D打印机，所述融蜡箱由外壳及水箱组成，所述水箱内设有四个钢筒，所述钢筒内设有与其紧密贴合蜡瓶；所述蜡瓶的顶部设有提手和蜡瓶密封盖，其底部连接有开有...
- 薛飞
- 文献传递
- 一种蜡型3D打印机支撑材料自动去除装置
- 一种蜡型3D打印机支撑材料自动去除装置，包括支架，电机，刷辊，管道，清洗槽，所述支架上固定有若干电机，所述电机用来驱动刷辊，所述刷辊上设有柔软的刷毛，所述清洗槽包括外槽和內槽，所述外槽和所述內槽构成中空的清洗槽，所述外槽...
- 薛飞
- 文献传递
- BCZT陶瓷的结构、介电和阻抗特性研究
- 2023年
- 采用传统固相法制备了0.5(Ba_(0.8)Ca_(0.2))TiO_(3)-0.5Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_(3)(BCZT50)和0.65(Ba_(0.8)Ca_(0.2))TiO_(3)-0.35Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_(3)(BCZT65)陶瓷,并对其结构、微观形貌、介电性能、阻抗特性以及化学缺陷进行了深入分析。结果表明:BCZT50陶瓷的结构为四方相和菱方相共存,BCZT65陶瓷的结构为四方相。BCZT50和BCZT65陶瓷均具有较高的致密度和较大的晶粒尺寸,表现出弛豫铁电特性,具有较高的相对介电常数(分别为5400,8600),较低的介电损耗(分别为0.025,0.08)和较高的居里温度(分别为83℃,95℃)。通过阻抗谱拟合发现BCZT50和BCZT65陶瓷存在以氧空位为主的空间缺陷。
- 薛飞田娅晖唐伟康
- 关键词：介电阻抗
- 氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响被引量：1
- 2018年
- 采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4mA/cm^2,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。
- 唐鹿薛飞郭鹏罗哲李旺李晓敏刘石勇
- 关键词：前电极透光率非晶硅薄膜太阳能电池
- 一种多铁性固溶体陶瓷及其制备方法
- 本发明提供了一种多铁性固溶体陶瓷及其制备方法，该多铁性固溶体陶瓷的化学组成表示为(1‑x‑y)BiFeO<Sub>3</Sub>‑xLaFeO<Sub>3</Sub>‑yPbFeO<Sub>2.5</Sub>，其中x为L...
- 薛飞田娅晖
- 文献传递
- 一种纳米陶瓷及制备方法
- 本发明公开了一种纳米陶瓷，主要成分的化学式为：(1‑x)BiFe<Sub>1‑y</Sub>Ti<Sub>y</Sub>O<Sub>3</Sub>‑xLnFeO<Sub>3</Sub>，其中，Ln为La、Sm、Ho、Gd...
- 田娅晖薛飞
- 一种磁电存储器存储单元结构
- 本实用新型涉及一种磁电存储器存储单元结构，包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层；所述磁电材料层包括铁电‑反铁磁材料层、设置于铁电‑反铁磁材料层下面的铁磁材料层、所述铁磁材料层中间设置有绝缘层、所述铁磁材料层下端与衬...
- 薛飞
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- BFO-ReFeO<Sub>3</Sub>-PZT多铁性固溶体及其制备方法
- 本发明涉及多铁性固溶体制备技术领域，提供一种BFO‑ReFeO<Sub>3</Sub>‑PZT多铁性固溶体及其制备方法，该多铁固溶体的的化学组成表示为0.5BiFeO<Sub>3</Sub>‑0.2ReFeO<Sub>3...
- 薛飞田娅晖
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- Al-Nb共掺杂对CaCu3Ti4-x(Al1/2Nb1/2)xO12陶瓷介电性能的影响被引量：1
- 2019年
- 采用固相反应法制备了Al-Nb共掺杂的CaCu3Ti4-x(Al1/2Nb1/2)xO12(x=0,0.01,0.03,0.05)陶瓷,研究了Al-Nb掺杂量对于CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷物相结构、微观形貌和介电性能的影响,并对Al-Nb掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表明,在x≤0.05时,Al-Nb共掺杂不会影响CCTO的物相组成,但当x=0.05时,会抑制CCTO陶瓷晶粒的生长;当x=0.03时,介电常数在20 Hz^1 MHz的频率范围内显著提高,同时介电损耗在小于10 kHz的频率范围明显降低,综合介电性能得到提升。分析认为,Al-Nb共掺杂时会增大陶瓷晶粒电阻,同时也会提高晶粒的半导化程度,从而增强了CCTO陶瓷的IBLC介电响应。
- 李旺杜江萍唐鹿罗哲薛飞杨佳豪吴召林
- 关键词：CACU3TI4O12介电损耗
- 一种多铁性固溶体陶瓷及其制备方法
- 本发明提供了一种多铁性固溶体陶瓷及其制备方法，该多铁性固溶体陶瓷的化学组成表示为(1‑x‑y)BiFeO<Sub>3</Sub>‑xLaFeO<Sub>3</Sub>‑yPbFeO<Sub>2.5</Sub>，其中x为L...
- 薛飞田娅晖
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