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程仕意

作品数:2 被引量:7H指数:1
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗高精度
  • 1篇电路
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电子标签
  • 1篇振荡器
  • 1篇失调电压
  • 1篇时钟
  • 1篇时钟产生
  • 1篇时钟产生电路
  • 1篇温度补偿
  • 1篇温度系数
  • 1篇环形振荡器
  • 1篇基准源
  • 1篇功耗
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇徐斌富
  • 2篇程仕意
  • 2篇沈少武

传媒

  • 2篇现代电子技术

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种用于电子标签的低功耗高精度时钟电路设计被引量:6
2008年
设计了一种适合射频电子标签的高精度时钟产生电路,在分析影响输出频率稳定性各因素的基础上,针对标签电路低功耗宽工作环境的要求,提出一种全CMOS结构带隙基准做偏置的电流受限型环形振荡器。全MOS自偏置PTAT迁移率和阈值电压互补偿带隙基准源的设计,使时钟电路受电源电压和温度的影响极小。全电路采用TSMC 0.18μmCMOS工艺实现。HSpice仿真结果表明:电源电压为1.2~2 V,温度从-10^+70℃变化时,带隙基准温度系数和电源电压抑制比分别为12 ppm/℃和59 dB,时钟稳定度在±2.5%以内,电路平均功耗仅为4μw。
沈少武程仕意徐斌富
关键词:时钟产生电路环形振荡器低功耗
一种高精度的CMOS带隙基准源被引量:1
2007年
设计了一种二阶温度补偿带隙基准源,为了提高电源抑制比,设计中采用了与全局电压保持相对无关的局部电压作为带隙核心的工作电压,并且使用PN结串联的结构,以减小运放失调电压的影响。整个电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,使用HSpice仿真器进行仿真,仿真结果证明此基准电压源具有很高的电源电压抑制比和较低的温度系数。
程仕意沈少武徐斌富
关键词:带隙基准温度补偿温度系数电源抑制失调电压
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