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张先坤

作品数：48 被引量：1H指数：1
供职机构：北京科技大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 14篇光电
  • 11篇探测器
  • 11篇金属
  • 11篇光电探测
  • 11篇光电探测器
  • 10篇电极
  • 10篇纳米
  • 10篇纳米片
  • 9篇同质结
  • 6篇电子束曝光
  • 6篇肖特基
  • 6篇结型
  • 6篇过渡金属
  • 6篇半导体
  • 5篇图案化
  • 5篇漏极
  • 5篇空位
  • 4篇势垒
  • 4篇退火
  • 4篇外延法

机构

  • 48篇北京科技大学
  • 1篇教育部

作者

  • 48篇张先坤
  • 46篇张跃
  • 46篇张铮
  • 5篇刘硕
  • 4篇廖庆亮
  • 4篇申衍伟
  • 4篇林沛
  • 3篇陈超
  • 2篇赵航
  • 1篇周燕
  • 1篇张铮
  • 1篇杨佳佳

传媒

  • 1篇科学通报

年份

  • 3篇2025
  • 6篇2024
  • 8篇2023
  • 11篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 8篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法
本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法，包括：绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域，其中，悬空沟道区域用于抑制静态电流；第一电极组包...
张跃卫孝福张铮张先坤于慧慧高丽洪孟羽都娴
一种过渡金属族硫化物逻辑运算器及其构筑方法
本发明属于逻辑运算器领域，涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为：对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护，另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受...
张跃高丽张铮廖庆亮高放放张先坤柳柏杉杜君莉于慧慧洪孟羽欧洋肖建坤
全二维金属/半导体界面与器件
超薄的二维材料因其原子级平整的表面和对短沟道效应出色的免疫力被认为是未来电子学器件的潜在候选材料。一个高性能半导体器件的应用与服役是离不开一个高质量的金属/半导体接触。
张先坤
一种静电自掺杂二极管及其制备方法
本发明公开了一种静电自掺杂二极管及其制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述静电自掺杂二极管的结构包括：依次堆叠的绝缘衬底、漏极、介电层、二维半导体层和源极，其中，二维半导体层需要与漏极接触。本发明制备的静电自掺杂二极...
张跃卫孝福张铮张先坤于慧慧高丽汤文辉洪孟羽都娴
一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法
本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化...
张跃杜君莉张铮柳柏杉高丽于慧慧温嘉玲汤文辉张先坤洪孟雨肖建坤
梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法
本发明公开了梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，一维半导体纳米柱阵列设置于半...
张跃曾浩然张铮柳柏杉于慧慧张先坤卫孝福高丽
基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统
本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与...
张跃王玉南张铮张先坤于慧慧陈匡磊黄银洁张彦哲曹志宏何晓宇赵航
一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用
本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用，涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底；少层石墨烯完全覆盖目...
张跃汤文辉张铮于慧慧高丽张先坤洪孟羽曾浩然卫孝福
一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法
本发明涉及一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法，属于二维过渡金属硫族化合物材料生长技术领域，本发明采用两步法CVD生长二维MoTe<Sub>2</Sub>，解决了一步法CVD生长二维MoTe<Sub>2<...
张跃李瑞山张铮张先坤冉义师张彦哲上官炜刘一禾姜鹤
二维MoS2光电性能的缺陷调控研究
以层状二硫化银(MoS2)为代表的二维过渡金属硫化物(transition-metal dichalcogenides,TMDs)是广受关注的二维半导体材料体系。他们具备超薄的体厚度、原子级平整的界面、合适的禁带宽度以及...
张先坤
关键词：同质结
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