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吴彩萍

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国矿业大学理学院更多>>
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相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧原子
  • 1篇原子
  • 1篇子结构
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国矿业大学

作者

  • 1篇殷春浩
  • 1篇徐振坤
  • 1篇侯磊田
  • 1篇朱姗姗
  • 1篇吴彩萍

传媒

  • 1篇高压物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
表面吸附氧原子的GaAs电子结构及光学性质的研究
2013年
在密度泛函理论的基础上,利用第一性原理计算了表面吸附氧原子的GaAs的电子结构及光学性质。结果表明,表面氧原子的吸附导致表面能带向深部移动,禁带中出现由As4p轨道和Ga 4p轨道构成的杂质能级,以及由As 4s轨道和Ga 4s轨道分裂形成的表面态能级;氧原子的吸附还导致表面d态和sp态电子的重新分布;氧原子的存在改善了晶格周期的缺陷性,改变电子跃迁的过程,影响晶体的光学性质。
朱姗姗殷春浩徐振坤吴彩萍侯磊田
关键词：GAAS第一性原理
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共1页<1>
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