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王新炜

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 6篇文化科学
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 10篇金属
  • 8篇前驱体
  • 7篇电催化
  • 7篇催化
  • 6篇等离子体
  • 6篇晶体管
  • 6篇化合物
  • 6篇保形
  • 5篇电催化剂
  • 5篇迁移率
  • 5篇场效应
  • 5篇催化剂
  • 4篇有机场效应晶...
  • 4篇原子层沉积
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇晶体
  • 4篇过渡金属
  • 4篇半导体
  • 4篇SUB

机构

  • 33篇北京大学

作者

  • 33篇王新炜
  • 6篇孟鸿
  • 5篇邵友东
  • 4篇高源鸿
  • 4篇李豪
  • 3篇张盛东
  • 2篇潘锋
  • 2篇徐期勇
  • 2篇张敏
  • 2篇王前
  • 1篇林原
  • 1篇吴忠振
  • 1篇郑家新
  • 1篇刘同超
  • 1篇苏彦涛
  • 1篇胡江涛

年份

  • 1篇2024
  • 9篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电催化剂及其制备方法
本发明公开一种电催化剂及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在基底上用CVD的方法生长纳米结构形成新的基底；利用原子层沉积技术，在所述新的基底上沉积FeS<Sub>y</Sub>薄膜，所述FeS<Sub>y</Sub>薄...
王新炜熊威
文献传递
一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法
本发明公开一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法，本发明采用金属脒基化合物作为金属前驱体，H<Sub>2</Sub>S等离子体作为硫源，通过ALD工艺合成黄铁矿FeS<Sub>2</Sub>，CoS<Sub>2</Sub>和...
王新炜国政
柔性三维集成电路结构的制备方法、反相器及集成电路
本申请涉及柔性三维集成电路结构的制备方法、反相器及集成电路，该方法包括：形成第一衬底；在第一衬底上形成P型晶体管；在P型晶体管上沉积N型晶体管的第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成N型晶体管的第二沟道区域；通过第二湿法...
张敏张娇娜王婉婷朱家豪王佳良王新炜孟鸿赵长斌潘媛
有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法
本发明公开有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法。所述有机过渡金属化合物的结构式选自如下所示中的一种：<Image file="DDA0003034942050000011.GIF" he="233" i...
王新炜陆科
文献传递
群体感应猝灭菌及其培养方法、填埋场渗滤液导排系统生物结垢防治方法
本发明公开了一种群体感应猝灭菌及其培养方法、填埋场渗滤液导排系统生物结垢防治方法，群体感应猝灭菌的培养方法包括以下过程：提取填埋场渗滤液中和/或填埋场渗滤液导排系统中的过滤构件上的细菌群，将细菌群分散于溶液中，得到接种液...
王前徐期勇白新月苗前名王新炜
一种电催化剂及其制备方法
本发明公开一种电催化剂及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在基底上用CVD的方法生长纳米结构形成新的基底；利用原子层沉积技术，在所述新的基底上沉积FeS<Sub>y</Sub>薄膜，所述FeS<Sub>y</Sub>薄...
王新炜熊威
FeS<Sub>x</Sub>薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法
本发明公开FeS<Sub>x</Sub>薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法，沉积方法包括步骤：将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中，沉积腔室温度设定为20~400℃，进行FeS<Sub>x</Sub>薄膜的...
王新炜国政邵友东
文献传递
群体感应猝灭菌及其培养方法、填埋场渗滤液导排系统生物结垢防治方法
本发明公开了一种群体感应猝灭菌及其培养方法、填埋场渗滤液导排系统生物结垢防治方法，群体感应猝灭菌的培养方法包括以下过程：提取填埋场渗滤液中和/或填埋场渗滤液导排系统中的过滤构件上的细菌群，将细菌群分散于溶液中，得到接种液...
王前徐期勇白新月苗前名王新炜
一种基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜及其制备方法
本发明提供了一种基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜及其制备方法，通过采用原子层沉积技术将金属前驱体在惰性载气的存在下通入原子层沉积反应室，沉积一层金属单原子层，再以脉冲的方式向原子层沉积反应室通入有机硫前驱体，得到一层金属...
王新炜李豪
一种氟掺杂氧化铟薄膜、薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开一种氟掺杂氧化铟薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，所述氟掺杂氧化铟薄膜的制备方法包括步骤：在通过原子层沉积法制备氧化铟薄膜的过程中进行含氟等离子体处理，或在通过原子层沉积法制备得到氧化铟薄膜后进行含氟等离子体处理，...
王新炜李锦雄陆磊张盛东
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