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张桂林

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
发文基金：上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇巨磁阻
  • 2篇巨磁阻抗
  • 2篇磁阻
  • 2篇磁阻抗
  • 1篇电子技术
  • 1篇多层膜
  • 1篇曲折
  • 1篇微机电系统
  • 1篇巨磁阻抗效应
  • 1篇机电系统
  • 1篇MEMS
  • 1篇电系统

机构

  • 2篇上海交通大学

作者

  • 2篇周志敏
  • 2篇周勇
  • 2篇张桂林

传媒

  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究被引量：1
2006年
利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。
张桂林周勇周志敏
关键词：巨磁阻抗微机电系统
曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应
2007年
利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。
张桂林周勇周志敏
关键词：电子技术巨磁阻抗MEMS
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共1页<1>
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