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光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究被引量：3: 2015年; 作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的掺锡氧化镓单晶(Sn∶β-Ga2O3),并对Sn∶β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究。结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射。; 张小桃谢建军夏长泰张晓欣肖海林赛青林户慧玲; 关键词：浮区法电导率荧光光谱

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张小桃