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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇直流反应磁控...
  • 1篇锐钛矿
  • 1篇溅射
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇TIO2薄膜
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机构

  • 1篇郑州大学
  • 1篇安阳市质量技...

作者

  • 1篇卢景霄
  • 1篇张利伟
  • 1篇郭云德
  • 1篇张丽伟
  • 1篇宋金生
  • 1篇任时朝

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
直流反应磁控溅射法制备锐钛矿TiO_2薄膜被引量:8
2006年
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD测试了TiO2薄膜的结构,研究了工艺因素中衬底温度、溅射气压、氧氩气体流量比和退火温度对薄膜结构的影响。实验结果表明:衬底温度高于200℃、溅射气压不高于0.7 Pa、氧氩流量比为1/4、退火温度为650℃时,锐钛矿TiO2薄膜更容易结晶。
张丽伟郭云德任时朝宋金生张利伟卢景霄
关键词:TIO2薄膜直流反应磁控溅射锐钛矿
共1页<1>
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