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季雅静

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇溅射
  • 1篇厚度
  • 1篇铁
  • 1篇E层
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 1篇叶丽云
  • 1篇秦会斌
  • 1篇季雅静

传媒

  • 1篇杭州电子科技...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响被引量：6
2006年
用直流磁控溅射方法制备了以Ta为缓冲层的Ni80Fe20薄膜。研究了NiFe层厚度对薄膜电阻变化量ΔR的影响。实验发现ΔR随NiFe厚度先变大后减小,最大约为0.3Ω,当NiFe厚度达到140nm后ΔR趋于饱和。其变化的原因是NiFe厚度影响着晶粒尺寸和表面粗糙度,进而影响着电子的散射,使ΔR呈现上述的变化趋势。
季雅静秦会斌叶丽云
关键词：磁电阻磁控溅射
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