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刘力军

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：西北大学信息科学与技术学院更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇欠压
  • 1篇BICMOS
  • 1篇BICMOS...

机构

  • 1篇西北大学

作者

  • 1篇田泽
  • 1篇周密
  • 1篇李攀
  • 1篇唐宏震
  • 1篇王瑾
  • 1篇刘力军

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计被引量：8
2007年
针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。
王瑾田泽李攀周密刘力军唐宏震
关键词：带隙基准BICMOS
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共1页<1>
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