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邓林峰

作品数：5 被引量：18H指数：3
供职机构：湖南大学电气与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金湖南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇SIC
  • 2篇碳化硅
  • 2篇晶闸管
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇损耗
  • 1篇驱动电路
  • 1篇阻断电压
  • 1篇脉冲放电
  • 1篇脉冲功率
  • 1篇脉冲功率技术
  • 1篇脉冲焊
  • 1篇门极
  • 1篇门极可关断晶...
  • 1篇可关断晶闸管
  • 1篇基于神经网络
  • 1篇关断
  • 1篇UHVDC

机构

  • 4篇湖南大学

作者

  • 4篇邓林峰
  • 3篇王俊
  • 2篇沈征
  • 2篇张渊
  • 1篇帅智康
  • 1篇全惠敏
  • 1篇肖靖
  • 1篇黄海清
  • 1篇肖剑波

传媒

  • 1篇焊接学报
  • 1篇大功率变流技...
  • 1篇中国科技论文

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
SiC GTO晶闸管技术现状及发展被引量：8
2016年
近年来,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的高压功率器件迅速发展。在SiC高压功率器件中,门极可关断晶闸管(GTO)具有高阻断电压、大电流、快速关断、低正向导通压降以及耐高温等优点。文章主要阐述了SiC GTO在衬底材料、外延材料、载流子寿命和阻断电压等方面近十几年的发展历程和现状;介绍了具有改良SiC GTO开关特性的碳化硅发射极关断晶闸管(SiC ETO)的特性及其结构和原理;分析了6 500 V SiC ETO的正向导通特性和阻断特性,并通过实验验证了其快速关断特性。最后从器件及其应用的角度提出了SiC GTO晶闸管技术未来发展的方向。
王俊张渊李宗鉴邓林峰
关键词：碳化硅门极可关断晶闸管阻断电压载流子寿命
一种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路被引量：3
2017年
提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路。脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进行快速功率放大。实验结果表明,SiC BJT在脉冲放电时,基极电流从0过渡到器件导通所需电流的上升时间约为6ns。所提出的驱动电路设计思想对高压双极型功率半导体器件的快速驱动开发具有启发意义。
肖剑波邓林峰张渊黄海清王俊沈征
关键词：SICBJT驱动电路脉冲功率技术
基于神经网络的焊机参数预测方法被引量：7
2018年
针对脉冲MIG焊参数众多,不易调节的特点,提出了一种基于神经网络的焊机参数预测方法.该方法采用LM(levenberg-marquarlt)算法建立了焊机参数的BP(back propagation)神经网络模型,充分利用已知的理想数据对网络进行训练,实现了焊接过程中任一给定焊接电流状态下焊机输出参数的预测;利用焊接参数的预测值分别对单、双脉冲MIG焊进行了试焊.结果表明,基于神经网络的焊机参数预测方法精度较高,焊接过程稳定,焊缝成形美观,能够实现良好的一元化调节.
杨亚超全惠敏邓林峰赵振兴
关键词：神经网络脉冲焊
高压SiC晶闸管在UHVDC的应用前景
为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求，本文结合了仿真和理论分析，研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(SiC)晶闸管，并研究了其在UHVDC 换流器中的应用前景.同时，...
王俊李清辉邓林峰肖靖帅智康沈征刘江金锐王耀华
关键词：硅晶闸管碳化硅UHVDC损耗
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