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蒋敏

作品数:3 被引量:5H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇光学
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇电池
  • 1篇性能研究
  • 1篇锗单晶
  • 1篇太阳电池
  • 1篇抛光
  • 1篇晶片
  • 1篇碱腐蚀
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇红外透过率
  • 1篇
  • 1篇粗糙度
  • 1篇H

机构

  • 3篇浙江理工大学
  • 3篇杭州士兰集成...

作者

  • 3篇席珍强
  • 3篇蒋敏
  • 2篇孙法
  • 2篇张秀芳
  • 2篇张亚萍
  • 1篇问明亮
  • 1篇张瑞丽
  • 1篇杨成林
  • 1篇姚晓辉

传媒

  • 3篇浙江理工大学...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响
2010年
采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。
孙法蒋敏张亚萍张秀芳张瑞丽姚晓辉席珍强
关键词:红外透过率
Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究被引量:4
2010年
采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。
张亚萍蒋敏杨成林孙法张秀芳席珍强
关键词:锗单晶碱腐蚀抛光
太阳电池用α-SiCx:H薄膜热处理性能研究被引量:1
2012年
对不同温度下PECVD沉积的α-SiCx:H薄膜进行750℃、30s的快速热处理性能研究,并利用紫外-可见-近红外分光光谱仪、光学膜厚测试仪和微波光电子衰减仪对样品反射率、折射率和少子寿命进行表征。结果表明,快速热处理会使α-SiCx:H薄膜折射率升高,但对薄膜反射率的影响不大。较低温度(<300℃)沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果提升,较高温度(≥300℃)沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果有所下降。
蒋敏问明亮席珍强
关键词:光学性能
共1页<1>
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