李远鹏
- 作品数：17 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器
- 本发明适用微波单片集成电路技术领域，提供了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器，该宽带数字移相器包括顺序级联的180°移相单元、90°移相单元、22.5°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元和45...
- 谢媛媛吴洪江赵子润刘文杰王向玮刘如青魏洪涛李远鹏
- GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统
- 本发明提供一种GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统，属于微电子技术领域。该GaN幅相控制多功能芯片包括输入端口、输出端口、分布式电流复用放大器、移相器、第一隔直电容和第二隔直电容；分布式电流复用放大器包括第一开关管、第二...
- 马瑞许春良刘帅李远鹏刘志军李富强张滨王丹阳刘卫乾
- X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
- 2023年
- 为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。
- 李远鹏魏洪涛刘会东
- 关键词：限幅器
- 电流复用放大器及电子装置
- 本申请适用于集成电路放大器设计技术领域，提供了电流复用放大器及电子装置，该电流复用放大器包括至少两级放大器，至少两级放大器在信号输入方向依次串联连接；与信号输入端连接的放大器为第一级放大器，与信号输出端连接的放大器为末级...
- 吴天军卢东旭李远鹏刘会东许春良
- 基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器
- 本申请适用于半导体及微电子技术领域，提供了基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器，包括：输入单元、输出单元、第一时钟信号单元、第二时钟信号单元、第一有源电阻单元、第二有源电阻单元、第三有源电阻单元和第四有源电阻单元；当第...
- 龚剑赵子润魏洪涛刘会东李远鹏刘志军
- 收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统
- 本发明提供一种收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统。该芯片包括：极化开关模块、天线端通道选择模块、接收通道低噪声放大器模块、发射通道功率放大器模块以及驱动端通道选择模块；极化开关模块的第一端用于连接水平极化天...
- 韩芹许春良刘会东崔璐李远鹏刘永强王晓阳李明
- 2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制
- 2009年
- 分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性。采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8～1.8V电压内均可正常工作。芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA。
- 李远鹏吴洪江默立冬
- 关键词：射频标签整流器稳压源限幅
- 动态偏置电路及放大器系统电路
- 本发明提供一种动态偏置电路及放大器系统电路。该动态偏置电路包括：差分包络检波模块、放大器偏置模块和缓冲模块；差分包络检波模块用于接入第一目标场效应管的栅极处的射频信号，并将射频信号进行整流得到直流信号后输出至缓冲模块；放...
- 吴天军李远鹏卢东旭刘会东许春良
- 单刀双掷开关电路、控制方法及芯片
- 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的...
- 王丹阳许春良刘会东刘志军李远鹏李富强张滨陈月盈杨柳徐伟王雨桐马瑞刘卫乾
- 基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：1
- 2024年
- 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。
- 徐伟赵子润刘会东李远鹏
- 关键词：双通道多功能芯片数控移相器
