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张国樑

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：湖南大学微电子研究所更多>>
发文基金：湖南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇阈值电压
  • 1篇动态范围
  • 1篇短沟道
  • 1篇信噪比
  • 1篇有源像素
  • 1篇有源像素传感...
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇沟道
  • 1篇感器
  • 1篇硅
  • 1篇BJMOSF...
  • 1篇衬底
  • 1篇传感
  • 1篇传感器
  • 1篇传感器研究

机构

  • 2篇湖南大学

作者

  • 2篇王太宏
  • 2篇曾云
  • 2篇李晓磊
  • 2篇张国樑
  • 1篇张燕
  • 1篇彭琰

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究被引量：1
2008年
提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。
李晓磊曾云张国樑彭琰王太宏
关键词：阈值电压信噪比动态范围有源像素传感器
短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
2008年
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求。
曾云李晓磊张燕张国樑王太宏
关键词：短沟道阈值电压
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共1页<1>
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