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宁提

作品数：30 被引量：29H指数：3
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：国防基础科研计划国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文期刊文章

领域

  • 29篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 20篇探测器
  • 15篇红外
  • 12篇碲镉汞
  • 12篇红外探测
  • 12篇红外探测器
  • 5篇刻蚀
  • 5篇焦平面
  • 5篇INSB
  • 4篇焦平面探测器
  • 4篇红外焦平面
  • 4篇长波
  • 3篇锑化铟
  • 3篇碲镉汞红外探...
  • 3篇盲元
  • 3篇接触孔
  • 3篇红外焦平面探...
  • 2篇电极
  • 2篇电极接触
  • 2篇应力
  • 2篇碲镉汞探测器

机构

  • 30篇华北光电技术...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇辽宁省军区
  • 1篇中国航天

作者

  • 30篇宁提
  • 5篇李忠贺
  • 3篇王成刚
  • 3篇孙浩
  • 3篇刘明
  • 3篇谢珩
  • 3篇刘铭
  • 2篇孟令伟
  • 2篇任秀娟
  • 2篇杨刚
  • 2篇李春领
  • 2篇肖钰
  • 2篇谭振
  • 2篇陈慧卿
  • 2篇白雪飞
  • 1篇胡尚正
  • 1篇王鑫
  • 1篇岳冬青
  • 1篇李震
  • 1篇于小兵

传媒

  • 19篇红外
  • 10篇激光与红外
  • 1篇清洗世界

年份

  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 9篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
p-on-n型10μm像元间距长波1280×1024红外探测器制备研究
2024年
采用p-on-n结构的碲镉汞红外探测器芯片的暗电流低、少子寿命长,是目前高性能红外探测器的主流发展方向。为了满足未来红外探测器小型化的发展需求,开展了p-on-n型10μm像元间距长波1280×1024探测器芯片研究。针对As离子注入激活、长波小间距芯片制备技术的难点,开展了As离子注入技术、As激活退火技术的研究分析。通过不同的表征方法验证了最佳条件,并通过器件工艺进行了探测器芯片的制备。测试其I-V特性曲线,获得了性能较好的探测器芯片。该研究对小像元间距p-on-n型长波碲镉汞焦平面器件的制备具有重要意义。
王鑫刘世光张轶王丹宁提
关键词：碲镉汞
10μm间距长波1280×1024碲镉汞探测器研制进展被引量：1
2022年
随着红外技术的进步,红外探测器组件向着更小尺寸、更高分辨率的方向发展。小像元间距、大面阵规格是长波探测器发展的重要方向。通过对10 m像元间距、9 m截止波长、1280×1024阵列规格长波探测器的研究,突破了10 m间距长波像元成结技术、10 m像元间距铟柱制备及互连技术,制备了有效像元率大于等于99.4%、非均匀性小于等于4%的10 m间距长波1280×1024碲镉汞探测器芯片。
祁娇娇冯晓宇陈彦冠宁提刘世光孙浩康键
关键词：小间距长波碲镉汞
Si基HgCdTe芯片钝化前表面清洗优化被引量：1
2018年
Si基HgCdTe表面钝化膜质量直接影响芯片的性能参数,而钝化前的表面清洗尤为重要。传统的表面清洗方式易对芯片表面造成损伤,且存在生产效率低、工艺重复性差等缺点。文中对芯片划片工艺后的表面残留物进行了分析,为去除芯片表面残留物寻找新的试剂,改善人工擦拭的清洗方式,制定了新的表面清洗工艺,并对传统清洗方式和优化后的清洗方式进行对比。实验证明,新的清洗方式不仅减少了芯片表面损伤,而且提高了工作效率和工艺的可重复性。
祁娇娇宁提谢珩
关键词：钝化
低损伤碲镉汞长波红外焦平面探测器电极接触孔刻蚀技术研究
2023年
长波碲镉汞材料受结构、组分等因素影响。在制备器件过程中,刻蚀电极接触孔易发生材料损伤,影响芯片的成像性能。利用现有电感耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma,ICP)设备刻蚀长波碲镉汞芯片电极接触孔,采用分步刻蚀以避免损伤。该方法虽可提高芯片的成像质量,但效率低,难以应用于大规模生产。为了提高刻蚀效率和实现器件大规模制备,通过对ICP刻蚀机上下电极射频功率的协同优化,开发出长波碲镉汞芯片电极接触孔一次成型工艺。经中测验证,探测器(长波320×256,像元中心间距为30μm)的盲元率仅为0.26%。该工艺能够实现低损伤电极孔刻蚀,可推广到大批量长波红外芯片制备。
李景峰刘世光宁提刘铭王丹
关键词：长波碲镉汞刻蚀技术
红外探测器工艺用器皿清洗方法研究被引量：1
2016年
红外探测器材料一般为窄带系材料,在其制备工艺过程中,杂质离子更容易导致缺陷能级或表面快态复合中心,需选取较优的器皿清洗方法,对工艺用器皿所含金属离子进行评测控制。本文通过电感耦合等离子体质谱仪对比碲镉汞红外探测器工艺线上不同的器皿及清洗方法,对清洗后金属离子残留测试分析,获得较佳的器皿清洗方法,更好地保证红外探测器制备后性能。
孙浩宁提龚志红白雪飞王文燕
关键词：红外探测器金属离子
基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究被引量：1
2022年
对于芯片加速寿命可靠性试验来说,温度是其中最重要的一环。首先,立足于芯片可靠性试验中温度的变化,探究高温烘烤对InSb红外探测器芯片光电性能的影响;然后对盲元的类型进行了分类,并总结出了像元损伤的可能原因;最后利用有限元分析软件对探测器结构进行了热应力仿真和分析,进一步明确了芯片碎裂的机理。由仿真结果可知,芯片中心位置受力较大,其值在680 MPa左右,这与InSb探测器中心位置易发生疲劳失效现象相吻合。提供了一种研究InSb探测器失效机理的新思路,对于高性能InSb红外探测器的研制具有一定的实际指导意义。
张伟婷宁提李忠贺李春领
关键词：温度变化INSB光伏探测器应力
倒装焊接机调平问题的研究
2024年
倒装互连工艺是制冷型红外焦平面探测器制备的关键技术之一,Z向压偏问题是影响倒装互连工艺成品率的重要因素。从倒装焊接机的设备角度,讨论了倒装焊接机调平与Z向压偏问题的关联性。测量的校准块不同位置焦距数值、标定校准块中点的准直十字位置粗略表明上焊臂与下基台的相对平行。此外,采用激光束获取的上下两个标准块不同位置与激光器的距离,精确表明上焊臂与下基台的空间平行,验证了倒装焊接机调平的准确度。首次建立研究倒装焊接机调平问题的方法体系,为高效解决倒装互连工艺Z向压偏问题、提升红外焦平面探测器成品率和可靠性打下了良好基础。
王慧冯晓宇宁提谢珩马腾达
碲镉汞红外探测器离子束刻蚀研究
2024年
电极成型技术是红外焦平面探测器的重要组成部分,离子束刻蚀技术由于具有高各向异性和高分辨率等诸多优点,适用于制备低损伤、高均匀性以及可生产性的电极体系。本文采用离子束刻蚀制备了平面型、台面型器件的电极结构,通过FIB和SEM表征了不同刻蚀条件下的电极形貌和结构,研究了不同刻蚀角度、能量以及热处理对碲镉汞红外探测器的影响。结果表明,离子束刻蚀技术具有侧边平滑、均匀性高、稳定性强以及工艺重复性好等诸多优点。另外,离子束刻蚀可以实现台面结器件的电极隔离,但台面侧壁存在一定金属电极残留,需要进一步优化台面形貌和刻蚀角度。在热处理对刻蚀的影响上,低能量刻蚀形成的晶格损伤,经过高温可以修复;高能量刻蚀将同时造成晶格损伤和电学损伤,热处理只能一定程度上改善pn结性能,电学损伤将在刻蚀后表面形成严重的漏电效应,降低了探测器的品质因子R_(0)A。
宁提何斌刘静徐港
关键词：碲镉汞离子束刻蚀电极接触
集成式偏振红外焦平面探测器的制备被引量：7
2019年
集成式偏振红外焦平面探测器是红外探测器应用的新的发展方向,国内近几年开展了相关的研究工作,本文围绕集成式长波320×256碲镉汞偏振红外焦平面探测器的研制,叙述了从技术路线选择到偏振结构的设计、制备等方面开展的工作及阶段测试结果,这些工作为后续的研制打下了良好的基础。
林国画张敏孟令伟宁提刘明
关键词：光刻
锑化铟红外探测器的三维电极成型技术
2023年
锑化铟的电极因三维特性易产生侧壁断裂问题,互联的铟柱会侵入电极内部,影响锑化铟芯片的可靠性。使用离子束溅射沉积、热蒸发、磁控溅射等方法制备三维电极体系,并通过聚焦离子束(Focused Ion Beam, FIB)方法以及扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)对其进行表征。结果表明,通过热蒸发、磁控溅射制备的电极三维覆盖情况较好,但存在电极脱落和剥离困难的问题;离子束溅射沉积方法可通过改变沉积角度、移除修正挡板来实现锑化铟三维电极的高质量制备。
张泽群龚志红李忠贺李乾宁提杨刚
关键词：锑化铟热蒸发磁控溅射离子束溅射沉积
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