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一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS: 2016年; 提出了一种具有超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS器件。该器件在两个氧化槽中分别制作L型多晶硅槽栅。漏极n型重掺杂区向下延伸,与衬底表面重掺杂的n型埋层相接形成L型漏极。L型栅极不仅可以降低导通电阻,还具有纵向栅场板的特性,可有效改善表面电场分布,提高击穿电压。L型漏极为电流提供了低阻通路,降低了导通电阻。另外,氧化槽折叠漂移区使得在相同耐压下元胞尺寸及导通电阻减小。二维数值模拟软件分析表明,在漂移区长度为0.9μm时,器件耐压达到83V,比导通电阻仅为0.13mΩ·cm^2。; 石琴陈祝吴丽娟蔡鹏飞何航丞; 关键词：LDMOS 槽栅比导通电阻击穿电压

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蔡鹏飞