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龚威

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化铟
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁性

机构

  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 1篇解其云
  • 1篇李允怡
  • 1篇龚威
  • 1篇刘志军
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展被引量：2
2017年
Ⅲ族氮化物半导体材料(InN、GaN、AlN)由于能带结构的特殊性,使其在光电器件与微波等领域得到广泛应用。其中,研究和发展InN材料及器件已被公认是占领光电信息技术领域战略至高点的重要途径,InN材料的p型导电以及室温铁磁性研究更是成为Ⅲ族氮化物中新颖的研究课题。首先简单介绍InN的晶体结构和制备方法,并分析其目前所遇到的挑战,然后重点阐述国际上关于InN在p型掺杂以及铁磁性领域的研究进展,同时介绍本课题组在该方面的研究,最后进行了简要总结和展望。
李允怡王伟刘志军龚威解其云
关键词：氮化铟P型掺杂铁磁性
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共1页<1>
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