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王曦

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
发文基金:陕西省科技统筹创新工程计划项目国家自然科学基金西安市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信化学工程文化科学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 2篇势垒
  • 2篇碳化硅
  • 2篇肖特基
  • 2篇二极管
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇电子信息
  • 1篇电子信息类
  • 1篇电子信息类专...
  • 1篇信息类专业
  • 1篇输运
  • 1篇数学
  • 1篇梯度掺杂
  • 1篇离散数学
  • 1篇晶闸管
  • 1篇课程
  • 1篇课程教学
  • 1篇课程教学设计
  • 1篇教学
  • 1篇教学设计
  • 1篇功率

机构

  • 4篇西安理工大学
  • 2篇西安电力电子...

作者

  • 4篇王曦
  • 3篇蒲红斌
  • 2篇陈治明
  • 2篇马骏
  • 1篇封先锋
  • 1篇刘青

传媒

  • 3篇电力电子技术
  • 1篇电气电子教学...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2017
  • 2篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
650V/50A 4H-SiC JBS二极管的设计与验证被引量:1
2016年
对肖特基区宽度不同的4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了仿真与实验研究。根据研究结果设计了一款兼具高功率处理能力与超低漏电流的4H-SiC JBS二极管并进行实验验证。实验结果显示所设计器件通态电阻为36 mΩ,反向耐压650 V时漏电流小于10 nA,功率处理能力大于30 kVA。
马骏王曦蒲红斌陈治明
关键词:二极管大功率
1200 V 4H-SiC JBS二极管的研制被引量:1
2016年
通过理论分析与计算机仿真方法对1 200 V 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了设计与研究,实现了1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环(FLR)保护效率存在对工艺偏差敏感的问题,所设计各电流等级的管芯均采用均匀FLR作为终端结构。经测试,所研制管芯在反偏压为1 200 V时,漏电流均不大于3μA,且1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的通态电阻分别为790mΩ,360 mΩ及59.3 mΩ。
马骏王曦蒲红斌封先锋
关键词:二极管碳化硅
电子信息类专业“离散数学”课程教学设计
2023年
新工科背景下,为了培养学生的计算思维,对“离散数学”课程教学中存在的问题进行了分析,结合电子信息类专业特色和应用实例,设定了面向电子信息类专业的教学目标,重组了教学内容,并基于成果导向教育(OBE)理念对“离散数学”的教学模式进行了改革,有望更好地提升电子信息类专业学生运用计算思维解决复杂工程问题的能力。
李姚王曦张超胡继超
关键词:电子信息离散数学
梯度掺杂对SiCLTT短基区少子输运增强研究被引量:2
2017年
通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10kV 4H-SiC光触发晶闸管(LTT)进行了研究。短基区的施主杂质呈梯度分布,未耗尽时会在纵向产生感生电场,使短基区的少子输运从单一的扩散方式改善为扩散与漂移相结合的方式,促进短基区少子的纵向输运。仿真结果显示,梯度掺杂短基区具有更强的少子传输效率,相比于常规SiC LTT,具有梯度掺杂短基区的SiC LTT开通延迟时间缩短了36%。
王曦蒲红斌刘青陈治明
关键词:碳化硅梯度掺杂
共1页<1>
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