王文军
- 作品数：14 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- EFPI式光纤声压传感器中敏感薄膜设计与分析
- 2021年
- 针对非本征F-P干涉仪式光纤声压传感器中的声压敏感薄膜性能提升,设计并制备了不同厚度和不同增敏环数的声压敏感薄膜结构。对不同声压敏感薄膜感知声压的性能进行测试。结果表明:声压敏感薄膜的厚度越薄,其声压灵敏度越大,对比400 nm厚度和1000 nm厚度的声压敏感薄膜,发现在相同声压的声波作用下,前者的输出电压比后者大一个数量级。此外,增加增敏环数可以有效地释放应力,降低薄膜的刚性,使得声压传感器的性能有所提升。
- 解涛杨志王文军王文军刘涛
- 关键词：微光电子机械系统光纤传感
- 一种自动校准的低噪声放大器偏置电路
- 2014年
- 设计了一款用来偏置增强型和耗尽型A类低噪声放大器的电源芯片，通过自动校准外接放大器的栅压使其漏端电流保持恒定。芯片在温度、电源、工艺变化时实现了良好的偏置稳定性，并且避免了这些变化导致的放大器RF性能的退化。测试结果表明，它提供的漏压范围为4～12V；漏电流范围为20～200mA；漏电流随数字电源的变化率为0．79％、随温度的变化率为0．022％；漏电压随温度的变化率为0．07％。芯片内部集成负压电荷泵电路偏置耗尽型放大器，产生-2．45V的电压。芯片使用0．25μmBCD工艺制造，面积为16mm×1．6mm。
- 王文军马琳
- 关键词：自动校准电流补偿低噪声放大器偏置电路
- 毫米波正交衡混频器单片的研制
- 本文采用WIN 0.15um GaAs pHEMT工艺,设计了一种Ka频段正交混频器单片。该正交混频器单片选用单栅极偏置，漏极混频，为提高LO-IF、RF-IF的隔离度，在中频输出端设计了LC低通滤波器。芯片的仿真变频损...
- 高铭王文军徐军
- 关键词：正交混频器毫米波技术变频损耗
- 增强型GaN HEMT凹槽栅刻蚀技术研究进展被引量：3
- 2018年
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展，但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因。归纳了目前制备增强型器件的几种方法：P型栅、F离子注入、凹槽栅、薄势垒层和共源共栅技术等，分析了采用凹槽栅结构实现增强型器件的原理及用于刻蚀凹槽的几种干法刻蚀技术。此外，讨论了目前实现凹槽栅的多种方法：A1N阻挡层、周期性等离子刻蚀、热氧化后湿法腐蚀、光辅助的电化学腐蚀以及选择性生长等，并分析了这几种方法制作凹槽栅的原理和不足之处。在此基础上，对制备凹槽栅工艺提出几点突破方向，只有不断提高增强型器件性能，才能使氮化镓器件在射频和电力电子等领域拥有更大的发展空间和应用前景。
- 白欣娇袁凤坡袁凤坡王文军李路杰
- 关键词：ALGAN/GANHEMT增强型反应离子刻蚀
- 硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线
- 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多...
- 钱丽勋王文军李宏军王建志申晓芳杨志付兴中董春晖王胜福李丰梁敬庭周名齐周少波陈旭东石晶晶
- 文献传递
- 一种3D打印的高次模带通滤波扭波导被引量：1
- 2023年
- 为了满足微波电路小型化、集成化的需求,提出了一种基于高次模的滤波扭波导。该滤波扭波导能同时实现带通滤波响应和极化旋转,其谐振单元采用基于TE_(102)模的椭圆柱谐振器,获得了更高的无载Q值,降低了对加工误差的敏感度。考虑到该扭波导不规则的几何结构,采用非金属3D打印技术制备并将其表面金属化,与对应的铜制元件相比,该元件质量显著减轻。设计的滤波扭波导的中心频率为15 GHz,通带宽度为300 MHz,回波损耗为20 dB,测试和仿真结果具有较好的一致性。该滤波扭波导可有效减小元件体积,减小多器件级联的额外损耗。
- 王文军张翊徐军
- 关键词：滤波器3D打印高次模
- 基于MOEMS敏感结构的非本征F-P干涉仪式光纤声压传感器被引量：4
- 2021年
- 随着声学探测技术的不断进步,对声压传感器提出了高精度、小型化、抗电磁干扰能力强和易批量生产等要求。研制了基于微光电子机械系统(MOEMS)敏感结构的非本征Fabry-Perot(F-P)干涉仪式光纤声压传感器。利用圆片级集成技术实现MOEMS敏感结构与光学腔室的高精度对准,大大提高了传感器的一致性。声压传感器的声学性能测试结果表明,其具有高灵敏度和良好的线性响应度,信噪比达到78.3 dB,实现了对声压信号的优良响应。此外,该传感器既具有光纤传感技术精度高和抗电磁干扰能力强等优点,又具备了微电子机械系统(MEMS)体积小和易批量生产的优势。
- 解涛杨志王文军吴宇刘涛
- 关键词：光纤传感
- 6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备被引量：1
- 2018年
- 采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在6英寸（1英寸=2.54 cm）Si（111）衬底上,使用多层不同Al摩尔组分的AlGaN插入层技术,成功生长出厚度为2.9μm无裂纹（扣除边缘2 mm）的GaN外延层,解决了大尺寸外延片的翘曲度问题,并在此基础上生长了全结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）外延片。采用X射线双晶衍射对外延材料结构进行了表征。Hall测试结果表明,HEMT外延材料的迁移率为2 080 cm^2/（V·s）,方块电阻为279.8Ω/,电荷面密度为1.07×10^（13）cm^（-2）。采用喇曼光谱仪对GaN的应力进行了表征,GaN的喇曼E2（h）峰位于567.02 cm^（-1）,表面受到的张应力为0.170 6 GPa,由于GaN外延层受到的张应力很小,说明插入多层AlGaN后应力已经释放。汞探针C-V测试二维电子气浓度较Hall测试结果偏低,可能是在C-V测试时肖特基势垒接触会降低载流子浓度。
- 白欣娇袁凤坡袁凤坡房玉龙王文军房玉龙
- 关键词：GAN
- Ka波段GaAs MMIC单平衡宽带混频器
- 2013年
- 介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显示该混频器芯片在30~40 GHz频率范围内获得了良好的性能,变频损耗小于10 dB,射频-本振隔离度大于30 dB,中频-本振隔离度大于35 dB,中频-射频隔离度大于40 dB,同时具有优良的驻波特性,P-1 dB功率大于0 dBm。该芯片尺寸为1.7 mm×1.8 mm。对该混频器进行了流片,并进行测试,测试结果表明,该混频器变频损耗约为8 dB,各端口间隔离度均优于30 dB。测试结果和仿真结果一致性良好。采用Lange耦合器是该混频器的特点,使它获得了良好的性能指标和更宽的带宽。
- 王文军高铭宋柏徐军
- 关键词：混频器LANGE耦合器变频损耗
- 高峰值电压长寿命超宽带时域信号源被引量：1
- 2023年
- 设计了一款基于雪崩晶体管和Marx电路的超宽带(UWB)时域信号源,其具有较高的峰值电压、较快的上升沿、较窄的半脉宽、较高的重频、较长的寿命等特点。通过8路功率合成的方法,在电路成本较低的前提下,改善了输出电压饱和的问题,提高了信号源的输出电压。通过晶体管并联技术,在高峰值电压输出的情况下,提高了信号源的寿命。最终信号源实现了峰值电压10 kV,上升沿183 ps,半脉宽750 ps。在重频为20 kHz下,可以连续工作超过45 min。该信号源可用于对目标的探测、干扰、攻击和物质处理等领域。
- 王文军吴建发石学文廖茂杰张雅茹杨宏春
- 关键词：MARX电路功率合成并联技术
