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杨柳

作品数：4 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电路
  • 3篇单片集成
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇MMIC
  • 2篇单刀双掷
  • 2篇单片
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇微波单片
  • 2篇微波单片集成
  • 2篇微波单片集成...
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇DCFL
  • 1篇移相器
  • 1篇数控衰减器
  • 1篇数控移相器
  • 1篇衰减器

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 4篇杨柳
  • 3篇李富强
  • 2篇魏洪涛
  • 2篇方园
  • 2篇张滨
  • 1篇刘志军
  • 1篇谢媛媛
  • 1篇徐伟
  • 1篇许春良
  • 1篇李远鹏
  • 1篇陈月盈
  • 1篇王雨桐
  • 1篇刘会东

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇通信电源技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
单刀双掷开关电路、控制方法及芯片
本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的...
王丹阳许春良刘会东刘志军李远鹏李富强张滨陈月盈杨柳徐伟王雨桐马瑞刘卫乾
带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计
2023年
设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。
杨柳
带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计被引量：5
2016年
采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。
张滨李富强杨柳魏洪涛方园
关键词：数控衰减器
基于GaAs E/D PHEMT工艺的6～10 GHz多功能MMIC被引量：4
2016年
采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（E/D PHEMT）工艺研制了一款6～10 GHz多功能微波单片集成电路（MMIC）。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明：接收支路增益大于8 d B,1 d B压缩点输出功率大于3 d Bm;发射支路增益大于1 d B,1 d B压缩点输出功率大于8 d Bm。移相64态均方根误差小于3°,衰减64态均方根误差小于1 d B。在工作频带内接收和发射两种状态下,输入输出驻波比均小于1.5∶1。经过版图优化后,芯片尺寸为3.5 mm×5.1 mm。该多功能MMIC可用于微波收发组件,对传输信号进行幅相控制。
张滨杨柳谢媛媛李富强魏洪涛方园
关键词：数控移相器
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