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张亚磊

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇COFE
  • 2篇退火
  • 2篇磁性能
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇射频
  • 1篇微结构
  • 1篇膜厚
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇磁性

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇杨成韬
  • 3篇张亚磊
  • 2篇解群眺
  • 2篇于永杰
  • 1篇陈强
  • 1篇王磊

传媒

  • 2篇磁性材料及器...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
CoFe_2O_4薄膜厚度对其微结构和磁性能的影响被引量:1
2010年
以铁和钴的硝酸盐为主要原料,采用sol-gel旋涂法在Si(001)基片上制备了不同厚度的CoFe2O4(CFO)薄膜。研究了薄膜厚度对其结构、形貌及磁性能的影响。结果表明:随着其厚度的增大,薄膜的结晶度变好,薄膜晶粒度逐渐增大到70nm。Ms随着薄膜厚度的增大先增大后减小;Hc的变化规律和Ms相反。当薄膜厚度为800nm时,Ms达到最大值59.2A·m2/kg,此时Hc最小为106.7kA/m。该薄膜具有高度的平行各向异性。
张亚磊杨成韬于永杰解群眺
关键词:微结构磁性能
射频溅射法制备的CoFe_2O_4薄膜结构及磁性能被引量:2
2009年
采用射频溅射法在Si(001)基片上制备了CoFe2O4(CFO)薄膜,分别采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)进行测试和分析。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐增大,在600℃左右退火,晶粒长大受到抑制;Ms和Hc随退火温度的升高都是先增大后减小;薄膜晶粒大小和膜内晶格应力导致垂直膜面方向矫顽力大于平面方向矫顽力。在600℃退火,Hc⊥/Hc∥值达到了2.72,表明制备的CFO薄膜具有高度垂直各向异性。
于永杰杨成韬王磊陈强张亚磊
关键词:退火磁性能
退火对溶胶-凝胶法CoFe_2O_4薄膜结构与磁性的影响
2009年
采用溶胶-凝胶法在Si(001)基片上制备了CoFe2O4(CFO)薄膜,对样品进行不同温度的快速退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)对薄膜进行微结构与磁性能分析。结果表明,薄膜退火温度在450℃及以上时生成无择尤取向的单一尖晶石相。随着退火温度上升,薄膜的晶化程度增高,Ms增大。650℃左右退火薄膜晶粒达到单畴临界尺寸,导致Hc随着退火温度的继续上升而逐渐下降。EDS分析表明,成膜后的化学计量比偏移很小。
解群眺杨成韬张亚磊
关键词:溶胶-凝胶法磁性
共1页<1>
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