田野
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 氮化镓功率电子器件上欧姆接触电极研究进展被引量：1
- 2023年
- GaN基功率电子器件已经被应用在电子产品、电气设备和充电器等领域。如何进一步提高现有GaN基功率器件性能是接下来研究的重点。其中,金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题。该文综述总结近年来在GaN基功率器件结构中的欧姆接触电极及不同类型欧姆接触方案的研究成果。在简要介绍几种典型的功率电子器件结构中的欧姆接触之后,将分别讨论n型GaN、p型GaN、Al GaN/GaN异质结上的欧姆接触,以及对于无金欧姆接触技术的各种尝试和成果。最后,对未来的发展趋势作出展望。
- 郑文浩田野
- 关键词：GAN欧姆接触功率电子器件
- 铒对Al-Ni-Y非晶合金微观结构及晶化行为的影响被引量：5
- 2008年
- 采用单辊旋淬法制备了Al88Ni4Y8-xErx(x=0,2)非晶合金,用X射线衍射(XRD)、差示扫描量热(DSC)、小角X射线散射(SAXS)等测试手段研究了Er元素的添加对Al-Ni-Y系非晶合金微观结构和非晶形成能力的影响。结果表明:Er元素的添加使合金内部的微观颗粒结构的尺寸增大,导致原子扩散困难,阻碍了原子间的进一步成核与长大,延迟了非晶的晶化动力学行为,从而提高了该合金体系非晶形成能力和热稳定性。
- 牛犇赵庆明田野王丹陈东明孙民华
- 关键词：铝基非晶合金晶化激活能小角X射线散射
- 硅衬底氮化镓大失配应力调控方法研究
- 2023年
- 随着人工智能技术的不断发展,宽禁带半导体——氮化镓(GaN)引起研究者们越来越多的关注。但受限于大尺寸、低位错密度的GaN单晶衬底难以制备且稀缺,GaN材料的制备通常采用异质外延法,相较于碳化硅(SiC)、蓝宝石等异质衬底,硅(Si)衬底Ga N材料具有更高的性价比,在功率转换和通讯方面受到广泛的关注。但是Si衬底上制备GaN单晶薄膜是典型的大失配异质外延,由此导致的高位错密和应力问题严重制约Si衬底GaN材料的性能及发展。该文从缓冲层技术、图形化衬底技术和柔性衬底技术3个方面,对硅衬底氮化镓大失配应力调控方法进行研究,提出优点与不足,在总结前人在以上3个方面取得进展的基础上,对硅衬底氮化镓大失配应力调控方法的发展做展望。
- 王欢田野
- 关键词：应力缓冲层柔性衬底
- 基于核正交子空间投影的高光谱图像异常目标检测
- 对于高光谱图像的异常目标检测,通常只利用数据的一二维信息,为了充分挖掘数据,利用高维非线性信息,提出了一种基于核正交子空间投影（KOSP）算法。同时为了降低计算时间,符合实时性的要求,采用了局部核正交子空间投影（LKOS...
- 田野赵春晖
- 关键词：高光谱图像正交子空间投影
- 文献传递
- 基于改进YOLOv8s的密集多人脸检测
- 2024年
- 针对密集场景中多人脸检测存在的漏检率高、检测精度低的问题,提出一种改进的YOLOv8s人脸检测算法。在YOLOv8的骨干网络添加SimAM注意力机制,提高检测模型对于图像内小目标的特征提取能力。将原激活函数SiLU替换为FReLU函数,扩大特征点提取范围,提高小目标检测准确度。引入新的损失函数Wise-IoUv1,解决部分小目标在截取过程中可能出现的低质量问题,进一步提升检测精度。实验结果表明,改进后的算法在自建密集场景人脸数据集上,准确度提升到99.26%,在回归率持平的基础上计算参数无明显上涨,实测漏检率降低26%,有效提升了人脸检测能力。
- 孙涵田野孙春凤
- 关键词：人脸检测
- 溅射功率对α-Hf薄膜结构及其光电特性的影响
- 2022年
- 利用直流磁控溅射法在Si(111)衬底上制备α-Hf薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及霍尔仪等仪器进行测试分析,表征了薄膜的物相结构、表面形貌、光学性能及电学性能。实验结果表明:制备的α-Hf薄膜是具有(002)晶面择优取向的六方结构。其结晶质量、晶粒尺寸、光反射率、电阻率等都与溅射功率密切相关。当溅射功率为50W时,α-Hf薄膜结构的致密性和表面平整性都有所提高,导电性更加优异。100W薄膜样品光反射率更大,这与薄膜表面结构相关。
- 李石田野
- 关键词：磁控溅射溅射功率光电特性
