您的位置： 专家智库 > >

周志达

作品数：11 被引量：59H指数：5
供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 6篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电平
  • 4篇中点箝位
  • 4篇逆变
  • 4篇逆变器
  • 4篇箝位
  • 4篇功率
  • 4篇大功率
  • 3篇电压
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电压源
  • 2篇电压源逆变器
  • 2篇有源
  • 2篇三相四线
  • 2篇桥臂
  • 2篇谐振
  • 2篇高压大功率
  • 2篇功率逆变器
  • 2篇二极管
  • 2篇二极管钳位

机构

  • 11篇中国科学院
  • 7篇中国科学院大...

作者

  • 11篇葛琼璇
  • 11篇周志达
  • 11篇杨博
  • 5篇赵鲁
  • 5篇崔冬冬
  • 4篇于洋
  • 4篇张波
  • 4篇王晓新

传媒

  • 3篇中国电机工程...
  • 2篇电工电能新技...
  • 1篇电机与控制学...
  • 1篇电工技术学报

年份

  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
背靠背五电平二极管钳位型变流器直流环节的电压偏移机理及其载波调制均压策略被引量：7
2019年
直流电容的均压控制是多电平二极管钳位型变流器的技术难点。该文以背靠背五电平二极管钳位型变流器为例,首先分析不施加均压控制时变流器系统直流环节的电压偏移机理。其次,证明在整流侧和逆变侧分别注入零序电压,对直流环节各悬浮节点平均电流的影响。据此,建立背靠背五电平变流器系统的直流环节均压控制的数学模型,提出一种基于零序电压注入的主从协同均压控制策略,通过模型预测控制在线计算整流侧和逆变侧所需注入的零序电压。仿真和实验结果表明,在整流侧和逆变侧的不同调制比组合、不同基波频率及不同功率因数下,所提均压算法均具备良好的动态和稳态均压性能。
崔冬冬葛琼璇谭强周志达杨博
关键词：背靠背电压平衡
五电平有源中点箝位型H桥变流器
一种五电平有源中点箝位型H桥变流器，包含三个单相H桥变流器。每个单相H桥变流器由第一桥臂和第二桥臂组成。输入电压源(Vdc)的两端并联两个串联的分压电容器(C1、C2))，再和第一个桥臂、第二桥臂并联。每个桥臂为三电平有...
葛琼璇张波周志达杨博崔冬冬于洋王晓新
文献传递
非正弦激励下高频变压器励磁参数辨识被引量：6
2019年
高频隔离DC/DC变换器是电力电子设备智能化和小型化的重要环节,其核心元件高频变压器通常工作在非正弦激励条件,励磁参数与特性均与正弦激励有较大区别。首先,该文通过解析法与保守功率理论(conservative power theory,CPT),给出非正弦激励下串联阻感参数辨识方法,通过仿真与实验验证了辨识方法的有效性。其次,在非正弦激励下对纳米晶变压器进行空载实验,提取励磁特性曲线,并对励磁参数进行辨识,分析参数变化规律。通过Simplorer/Maxwell场路联合仿真平台重现了变压器空载实验,仿真准确拟合了变压器励磁参数及其变化规律,并给出非正弦激励下磁芯磁通密度与磁芯损耗的分布,为进一步优化变压器设计提供了有效手段。
周志达周志达葛琼璇赵鲁
关键词：高频变压器参数辨识
碳化硅器件建模与杂散参数影响机理被引量：8
2020年
为了更准确地评估碳化硅宽禁带半导体功率器件的性能和系统特性,需要搭建不同封装下器件的快速行为仿真模型,包括静态特性模型与动态响应模型。首先基于MOSFET器件EKV模型,舍去了原模型的漂移区电阻并赋予参数温度自由度后,实现一种仅需要器件数据手册的快速建模方法。对比原静态模型,改进模型收敛速度更快;器件转移特性和输出特性拟合精确度有明显提高;不同结温的静态特性可独立建模。其次,基于静态模型参数,校正了寄生电容和跨导,加入模块封装和层叠母排的杂散电感和分布电容参数,分阶段建立了开关过程中驱动回路和主回路微分方程,给出了器件杂散参数提取过程以及漏极电流、端电压的动态响应求解方法。最后搭建碳化硅功率模块双脉冲实验电路,结果显示模型可真实重现开关过程中的电压电流尖峰与振铃细节。
周志达周志达葛琼璇赵鲁
关键词：杂散电感
五电平有源中点箝位H桥逆变器的控制方法
一种五电平有源中点箝位H桥逆变器的控制方法，首先定义五电平有源中点箝位H桥逆变器的输出电平和输出状态，分析开关管损耗分布情况，确定电平切换方式、合理使用电平切换方式的比例。本发明确定了四种电平切换方式，通过调节四种电平切...
葛琼璇张波杨博周志达崔冬冬于洋王晓新
文献传递
一种通用的基于预测控制的二极管钳位型变流器载波调制均压策略被引量：2
2018年
直流电容均压控制是二极管钳位型变流器的主要问题。本文以三电平二极管钳位型变流器为例,提出了一种通用的二极管钳位型变流器的载波调制均压策略。该均压策略通过在载波调制器的调制波中注入优化的零序电压来平衡各直流电容的电压。首先,给出了所注入零序电压的通用表达式,分析了零序电压对三电平二极管钳位型变流器中点电位的控制机理;其次,提出了一种基于预测控制的均压算法,计算所需的优化零序电压。仿真和实验结果表明,本文所提均压方法可有效控制三电平二极管钳位型变流器的中点电位,并可方便地扩展到更多电平数的二极管钳位型变流器。
崔冬冬葛琼璇葛琼璇周志达谭强
关键词：载波调制预测控制均压控制零序电压
五电平有源中点箝位H桥逆变器的控制方法
一种五电平有源中点箝位H桥逆变器的控制方法，首先定义五电平有源中点箝位H桥逆变器的输出电平和输出状态，分析开关管损耗分布情况，确定电平切换方式、合理使用电平切换方式的比例。本发明确定了四种电平切换方式，通过调节四种电平切...
葛琼璇张波杨博周志达崔冬冬于洋王晓新
文献传递
碳化硅MOSFET反向导通特性建模研究被引量：3
2018年
碳化硅宽禁带半导体器件因其损耗小、开关时间短以及温度特性稳定等诸多优点在中小功率变换器得到广泛关注。对比Si IGBT,SiC MOSFET的反向导通(第三象限运行)压降更低、损耗更小、载流能力更高,在电机驱动、移相DC/DC变换器以及同步整流器中应用更有优势。首先研究了SiC MOSFET反向导通机理及其外特性随温度变化规律,提出了一种适用于不同封装、不同型号的反向导通建模方法,实现仅需数据手册即可快速建立包含不同结温特性的行为模型,仿真结果验证了提出的建模方法对分立元件和功率模块的准确性和有效性。
周志达葛琼璇葛琼璇赵鲁
双向全桥串联谐振DC/DC变换器回流功率特性优化被引量：14
2019年
双向全桥串联谐振DC/DC变换器(dual bridge series resonant DC/DC converter,DBSRC)具有控制简单、损耗低等优点,在电力电子牵引变压器场合具有应用前景。然而若系统参数选择不当,会产生较大回流功率,使开关管的损耗增大,系统效率降低。为了降低系统运行时的回流功率,该文分析DBSRC的工作原理及换流过程,利用微分方程得到系统模型,进而总结DBSRC的3种稳态工作模式及回流功率在不同工作模式的表达式。通过优化电压增益(M)、开关频率谐振频率比(F)、谐振回路的特性阻抗(Zr)参数,达到在宽负载范围内降低系统回流功率的目的。最后,构建一个35 kW实验样机,实验结果证明了DBSRC模型的正确性及回流功率特性优化和有效性。
杨博葛琼璇葛琼璇赵鲁
关键词：电压增益特性阻抗
五电平有源中点箝位型H桥变流器
一种五电平有源中点箝位型H桥变流器，包含三个单相H桥变流器。每个单相H桥变流器由第一桥臂和第二桥臂组成。输入电压源(Vdc)的两端并联两个串联的分压电容器(C1、C2))，再和第一个桥臂、第二桥臂并联。每个桥臂为三电平有...
葛琼璇张波周志达杨博崔冬冬于洋王晓新
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0