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刘焱华

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南通大学理学院江苏省专用集成电路设计重点实验室更多>>
发文基金：南通市应用研究计划项目江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目南通大学自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇击穿电压
  • 1篇仿真
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇南通大学

作者

  • 1篇孙玲
  • 1篇景为平
  • 1篇罗向东
  • 1篇徐炜炜
  • 1篇程梦璋
  • 1篇陈海进
  • 1篇孙海燕
  • 1篇陶涛
  • 1篇刘焱华

传媒

  • 1篇南通大学学报...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
110V体硅LDMOS器件研究被引量：1
2008年
利用SILVACO TCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了110 V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在漏端表面发生击穿;衬底浓度低对提高开态击穿电压有一定效果,但低浓度衬底难以在CMOS工艺中使用;场氧与P阱和漂移区的PN结界面距离在零或者略大于零时器件耐压性有最优值;栅极板长度存在最优值,栅极板过长或过短都将使得器件的击穿电压有所降低.
罗向东孙玲陈海进刘焱华孙海燕徐炜炜陶涛程梦璋景为平
关键词：LDMOS击穿电压仿真
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