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刘国栋

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国人民解放军93502部队更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电路
  • 1篇脉冲
  • 1篇集成电路

机构

  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 1篇贺其元
  • 1篇陈京平
  • 1篇刘国栋
  • 1篇张大伟

传媒

  • 1篇无线电工程

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
两种脉冲对集成电路损伤的相关性研究
2007年
在分析集成电路器件EMP损伤模式的基础上,给出了一种从器件热失效的角度出发对方波脉冲和ESD脉冲进行相关研究的途径:即当器件属于能量型损伤时,在一些失效机理下,可以根据器件在高压瞬态过应力作用下的功率和能量参量进行某种相关,这种相关是指可用能对器件产生相同热作用的方波脉冲来替代ESD脉冲。利用已经建立起来的器件损伤参数与脉冲参数之间的关系模型和器件的失效阈值模型,给出了这种相关的方法并讨论了这种方法在理论上的可行性以及它的适用性和局限性。
陈京平贺其元张大伟刘国栋
关键词：集成电路
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共1页<1>
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