潘飞
- 作品数：10 被引量：41H指数：5
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 白光LED用新型红色荧光粉Sr_5(BO_3)_3Cl:Eu^(3+)的制备与发光特性被引量：3
- 2013年
- 采用高温固相法合成了Sr5(BO3)3Cl:Eu3+新型红色发光材料,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射测试表明合成材料为纯相Sr5(BO3)3Cl晶体。材料的主发射峰位于587,596,613nm和626nm,对应Eu3+的5 D0→7F1,7F2辐射跃迁。监测626nm发射峰,激发光谱主峰位于392nm,可被InGaN管芯有效激发。通过时间分辨光谱测得Eu3+离子5 D0能级的荧光寿命约为2.28ms。研究了Eu3+离子掺杂浓度对Sr5(BO3)3Cl:Eu3+发光性能的影响,结果随着Eu3+离子浓度的增大,样品的发光强度先增大后减小,最佳掺杂浓度为16%(摩尔分数)。计算了Eu3+离子浓度猝灭的临界距离为1.46nm。测量了不同Eu3+浓度样品的色坐标,均位于色品图红光区,符合NTSC标准。
- 杨志平宋延春韩月潘飞刘鹏飞赵引红
- 关键词：发光浓度猝灭
- 新型红色荧光粉Sr2ZnMoO6：Sm3＋的制备与发光性能被引量：8
- 2012年
- 采用高温固相法合成了Sr2ZnMoO6∶Sm3+新型红色荧光材料,并对其发光特性进行了研究。XRD测量结果表明所制备样品为纯相Sr2ZnMoO6晶体。样品的发射光谱由一系列锐谱组成,分别位于563 nm(4G5/2→6H5/2)、598 nm(4G5/2→6H7/2)、607 nm(4G5/2→6H7/2)和645 nm(4G5/2→6H9/2),最强发射为645 nm。样品激发光谱由电荷迁移带CT和Sm3+离子的特征激发峰组成,主激发峰位于284 nm(CT)和403 nm(6H5/2-4L13/2)。随着Sm3+浓度的增大,Sr2-xZnMoO6∶xSm3+材料的发光强度先增大后减小,在x≥2%时,发生浓度猝灭现象。根据Dexter理论分析其猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。比较了Li+、Na+和K+作为电荷补偿剂的作用,发现均使Sr2ZnMoO6∶Sm3+材料的发射强度得到增强,但以Li+补偿效果最为显著。
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- 关键词：发光荧光粉浓度猝灭电荷补偿
- 绿色荧光粉KNaCa_2(PO_4)_2:Tb^(3+)的制备及发光性能研究被引量：1
- 2012年
- 采用高温固相法成功制备了KNaCa2(PO4)2:Tb3+绿色荧光粉,并研究了其发光性质。测量了其激发和发射光谱,样品发射峰位于418,440,492,545,586,622 nm,分别对应Tb3+的5 D3→7 F5,5 D3→7 F4,5 D4→7 F6,5 D4→7 F5,5 D4→7 F4,5 D4→7 F3能级跃迁,主发射峰位于545 nm。主激发峰位于350～390 nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与InGaN管芯匹配。确定了在KNaCa2(PO4)2基质中Tb3+浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机制。研究了不同电荷补偿剂对KNaCa2(PO4)2:Tb3+材料发光的影响,其中Li+离子改善其发光强度最为明显。
- 杨志平宋延春韩月赵青周东站潘飞
- 关键词：荧光粉电荷补偿浓度猝灭三基色
- 单一基质白光荧光粉Ba_2B_2O_5:Dy^(3+)的制备与发光性能被引量：1
- 2012年
- 采用高温固相法合成了Ba2B2O5:Dy3+荧光粉材料,并对其发光性质进行了研究.样品发射光谱为典型的双峰谱线,分别位于483和575nm处,对应Dy3+的4F9/2→6 H15/2和4F9/2→6 H13/2特征跃迁.激发光谱为多峰锐谱,主峰位于348和386nm处,和UVLED管芯匹配.讨论了Dy3+物质的量分数对发射光谱的影响,结果随Dy3+物质的量分数的增大,黄蓝发射的相对强度比(IY/IB)基本不变,样品的发光强度呈现先增大后减小的趋势.研究了电荷补偿剂Li+对材料发光强度的影响,随着Li+的物质的量分数增加发光强度先增大后减小.测量并标定了Dy3+不同物质的量分数下样品的色坐标,均呈现白光发射.
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- 关键词：发射光谱激发光谱电荷补偿
- 适合近紫外和蓝光激发的Sr_(2-x)ZnMoO_6:xEu^(3+)红色荧光粉的制备与发光性能被引量：4
- 2012年
- 采用高温固相法制备了适合于近紫外、蓝光激发的Sr2–xZnMoO6:xEu3+红色荧光粉。研究了Eu3+掺杂量对样品发光性能的影响。XRD谱显示合成样品为纯相Sr2ZnMoO6晶体。激发光谱由一系列尖峰和电荷迁移带组成,主激发峰位于395nm和465nm处,对应于Eu3+的7F0→5L6和7F0→5D2跃迁。在395nm和466nm激发下,主发射峰分别位于597nm和624nm,对应Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁。随着Eu3+掺杂量的增加,发射光谱强度先增大后减小,Eu3+最佳掺杂量为0.2。研究了分别以Cl–、Li+、Na+和K+作为电荷补偿剂对发光性能的影响,结果显示Li+补偿效果最为显著。
- 杨志平韩月宋延春赵青潘飞
- 关键词：红色荧光粉光致发光浓度猝灭电荷补偿
- CaZn_2(PO_4)_2∶Eu^(3+)的制备及其发光性能被引量：9
- 2011年
- 采用高温固相法合成了CaZn2(PO4)2∶Eu3+橙红色荧光粉,研究了其发光特性。该荧光粉在350～410nm处有一个宽带激发,其激发主峰位于394 nm。在紫外激发下,发射峰分别由Eu3+的5 D0→7 F1(585,595nm)、5 D0→7 F2(615、622 nm)、5 D0→7 F3(645 nm)及5 D0→7 F4(687,700 nm)4组线状峰构成,其中以595 nm发射峰最强。探讨了Eu3+的掺杂浓度对样品发光强度的影响以及Eu3+发射的橙/红光比值随浓度的变化关系,确定Eu3+的最佳掺杂摩尔分数为10%。实验结果表明,加入不同电荷补偿剂Li+,Na+,K+均能使发光强度得到提高,其中以Li+最佳。
- 杨志平赵青潘飞宋延春韩月马淑媛
- 关键词：发光荧光粉
- 白光LED用KNaCa_2(PO_4)_2∶Dy^(3+)材料的制备与发光特性研究被引量：2
- 2012年
- 采用高温固相法制备了KNaCa2(PO4)2∶Dy3+发光材料并对其发光特性进行了研究。光谱显示,KNaCa2(PO4)2∶Dy3+激发谱为300～500nm范围内的一系列锐谱,可被InGaN管芯和蓝光有效激发。尤其在385nm紫外光激发下,样品呈现较强白光发射,主发射峰位于485和577nm,对应Dy3+的4F9/2-6 H15/2、4F9/2-6 H13/2跃迁,形成"黄+蓝"单一基质白光。研究了Dy3+掺杂浓度对KNaCa2(PO4)2∶Dy3+发光性能的影响,随Dy3+浓度增加,发光强度先增大后减小,最佳掺杂浓度为0.04mol,Y/B值在较小范围内先增大后减小。根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。测量并标定了Dy3+不同浓度下样品的色坐标均呈现白光发射。研究表明,KNaCa2(PO4)2∶Dy3+材料是一种适合紫外-近紫外-蓝光激发的单一基质白光荧光粉。
- 杨志平宋延春韩月赵青潘飞
- 关键词：白光LED发光色坐标
- 白光LED用Ba_3La(PO_4)_3∶Dy^(3+)荧光粉的制备与发光性能被引量：7
- 2013年
- 通过高温固相法合成了一系列Ba3La1-x(PO4)3∶xDy3+荧光粉材料。利用XRD测量样品的物相,结果显示样品为纯相Ba3La(PO4)3晶体。样品的激发光谱由一系列宽谱组成,峰值分别位于322,347,360,386,424,451 nm。在347 nm激发下,荧光粉在482 nm(4F9/2→6H15/2)和575 nm(4F9/2→6H13/2)处有很强的发射。研究了不同Dy3+掺杂浓度对样品发射光谱的影响,当Dy3+摩尔分数x=0.10时出现猝灭现象,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。确定了不同Dy3+掺杂浓度的Ba3La(PO4)3∶Dy3+的荧光寿命。Ba3La(PO4)3∶Dy3+荧光粉发射光谱的色坐标位于白光区域。
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- 关键词：荧光粉白光
- 单一基质白光荧光粉Sr_3Bi_(1-x)(PO_4)_3∶Dy^(3+)的制备与发光性能研究被引量：5
- 2012年
- 本文采用高温固相法合成了Sr3Bi1-x(PO4)3∶xDy3+荧光粉。XRD图谱表明合成物质为纯相Sr3Bi(PO4)3晶体结构。主激发峰位于323 nm,348 nm,362 nm,385 nm,423 nm,451 nm和471 nm,分别对应Dy3+的6H15/2到4L19/2,6P7/2,6P5/2,4I13/2,4G11/2,4I15/2,4F9/2的跃迁。主发射峰位于482 nm(4F9/2→6H15/2),575 nm(4F9/2→6H13/2),分别对应于黄光和蓝光发射,其中以348 nm激发得到的峰值最强。研究了不同Dy3+掺杂浓度对发光性能的影响。随着Dy3+浓度的增大,样品的发光强度先增大后减小。当掺杂浓度x=0.08时,发光强度最好。并测试了样品的色坐标,为x=0.33,y=0.35,属于白光区域。
- 杨志平韩月宋延春赵青潘飞周东站
- 关键词：荧光粉光致发光色坐标
- Ce^(3+)在Na_2Ca_(1-x)SiO_4:xCe^(3+)中的发光特性及晶体学格位被引量：5
- 2012年
- 采用高温固相法合成了Na2Ca1-xSiO4:xCe3+蓝色发光材料,并对其发光特性进行了研究。测得激发光谱为双峰宽谱,峰值分别位于279nm和360 nm,属于Ce3+的4f-5d跃迁,可被紫外-近紫外LED芯片有效激发。样品的发射光谱为不对称单峰宽谱,主峰位于439nm。利用van Uitert公式证明了Ca在Na2CaSiO4中只存在一种晶体学格位,判定经Gauss分峰拟合后的425 nm与460 nm子发射峰均来自于八配位Ce3+的发射,非对称发射的原因是局部晶体场的不对称和Ce3+能级劈裂。研究了Ce3+掺杂量对Na2Ca1-xSiO4:xCe3+材料发光特性的影响。结果显示,随Ce3+掺杂量的增大,发光强度先增大后减小,且发射光谱红移。Ce3+掺杂量为4%(摩尔分数)时,出现浓度猝灭,根据Dexter理论分析猝灭机理为电偶极-电四极相互作用。
- 杨志平宋延春赵青韩月潘飞
- 关键词：发光晶体学格位
