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石剑
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
巴黎高等师范学院
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合作作者
陈静
西北工业大学材料学院凝固技术国...
刘正堂
西北工业大学材料学院凝固技术国...
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刘正堂
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纳米技术与精...
年份
1篇
2012
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软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化(英文)
被引量:1
2012年
报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射频功率、压强和气体流量对刻蚀形貌、表面粗糙度以及刻蚀速度的影响.在优化的工艺条件下,获得了理想的具有垂直侧壁形貌和较小表面粗糙度的纳米光栅阵列.结果表明,选择优化的刻蚀工艺参数,既能有效地改善图形转移的性能,同时也能提高所制备结构的光学应用特性.
陈静
石剑
刘正堂
DECANINI Dominique
HAGHIRI-GOSNET Anne-Marie
关键词:
反应离子刻蚀
表面粗糙度
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