王晓慧
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：鲁东大学更多>>
- 发文基金：山东省高等学校科技计划项目山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- ZnO低维结构的制备及其光电特性研究
- 上世纪80年代开始,ZnO半导体材料就因其常温下具有3.37eV的直宽带隙以及高达60meV激子束缚能而逐渐被人们所熟知。最近几年以来,由于ZnO材料相对较低的生产成本以及良好的光电特性使其在制备发光二极管、光电二极管、...
- 王晓慧
- 关键词：脉冲激光沉积水热法光电特性
- 文献传递
- ZnO基异质结构的制备及其光电特性
- 2017年
- 利用水热法以及脉冲激光沉积(PLD)技术分别在Si(100)和GaAs(100)衬底上制备了沿c轴高度取向的ZnO纳米棒,并对ZnO/p-Si以及ZnO/p-GaAs异质结的发光特性和电学特性进行了测量.通过对比两种衬底上生长的ZnO纳米结构的表面形貌和结晶质量,发现:生长在GaAs(100)衬底上的ZnO纳米棒排列整齐,结构致密,沿c轴择优生长取向较好.ZnO/p-GaAs异质结的光致发光光谱由三个主要的发光峰组成,分别是:380 nm附近的紫外发光峰、450~700 nm的黄绿光发光带以及850 nm左右的GaAs本征发光峰.通过计算得到该光致发光谱的色度坐标,与标准白光的CIE色度坐标(0.333,0.333)接近,这为进一步实现ZnO基固体白光LED发光器件提供了依据.
- 王晓慧林国琛周啸宇张立春赵风周
- 关键词：水热法ZNO纳米棒光电特性
- 制备温度对SnO_2/Au/SnO_2三层结构透明导电薄膜光学和电学特性的影响
- 2016年
- 采用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了SnO_2(40 nm)/Au(8 nm)/SnO_2(40 nm)三层薄膜结构.分别利用扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、四探针电阻测试仪等研究了制备温度对多层薄膜的形貌、结构和光电性能的影响.结果表明,制备温度对SnO_2/Au/SnO_2透明导电薄膜的光电性能有较大影响,随着衬底温度的升高,三层膜的品质因数逐渐下降.当制备温度为20℃,SnO_2/Au/SnO_2在可见光区(400~800 nm)的平均透过率为69.7%,面电阻为6.8Ω/sq,薄膜具有最佳品质因数3.96×10^(-3)Ω^(-1).
- 董方营张立春王晓慧林国琛赵风周
- 关键词：SNO2透明导电薄膜
