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曾凡

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：浙江理工大学更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 5篇碳化硅
  • 4篇复合材料
  • 4篇复合材
  • 3篇碳化硅纳米线
  • 3篇碳化硅陶瓷
  • 3篇碳热还原
  • 3篇陶瓷
  • 3篇热还原
  • 3篇硅纳米线
  • 3篇反应烧结碳化...
  • 3篇反应烧结碳化...
  • 2篇制备SIC
  • 2篇碳化硅晶须
  • 2篇碳热还原反应
  • 2篇陶瓷基
  • 2篇陶瓷基复合
  • 2篇陶瓷基复合材...
  • 2篇注射泵

机构

  • 7篇浙江理工大学

作者

  • 7篇曾凡
  • 6篇陈建军
  • 4篇丁丽娟
  • 2篇刘东旭
  • 1篇廖欣
  • 1篇廖欣

传媒

  • 1篇浙江理工大学...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
柔性碳化硅纳米线及纳米线纸的制备及表征
SiC纳米线具有高的断裂韧度、弯曲强度、重量轻、耐烧蚀、耐腐蚀、化学性质稳定及独特的电学性质等优良特性。论文通过溶胶-凝胶碳热还原法制备了超长单晶碳化硅纳米线，通过X射线衍射、场发射扫描电镜和透射电镜等测试分析了碳化硅纳...
丁丽娟廖欣柳兆祥曾凡陈建军
关键词：碳化硅纳米线耐烧蚀增强体复合材料碳热还原
一种开放体系SiC纳米线的制备方法
本发明公开了一种开放体系SiC纳米线的制备方法。将盛有金属硅粉的石英坩埚放入管式炉中间区域，并在管式炉的低温段铺设石墨纸；根据反应所需要的温度来设定管式炉的升温程序，根据液态碳源注射量的多少来设定反应保温时间；当温度达到...
陈建军欧国松丁丽娟曾凡姜敏孔文龙
文献传递
一种开放体系SiC纳米线的制备方法
本发明公开了一种开放体系SiC纳米线的制备方法。将盛有金属硅粉的石英坩埚放入管式炉中间区域，并在管式炉的低温段铺设石墨纸；根据反应所需要的温度来设定管式炉的升温程序，根据液态碳源注射量的多少来设定反应保温时间；当温度达到...
陈建军欧国松丁丽娟曾凡姜敏孔文龙
文献传递
反应烧结碳化硅陶瓷的制备及碳化硅纳米线增强研究
反应烧结工艺具有烧结温度低、工艺简单、制造成本低等特点,是制备陶瓷复合材料的常用工艺之一。反应烧结碳化硅(Reaction Bonded Silicon Carbide,RBSC)陶瓷材料具有低密度、耐高温、抗冲击、高强...
曾凡
关键词：碳化硅陶瓷碳化硅纳米线复合材料抗弯强度
文献传递
制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法
本发明公开了一种制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法。该方法以酚醛树脂为反应体系的单一碳源，同时采用酚醛树脂为包覆碳源，对SiC纳米线进行表面改性，形成碳包覆SiC纳米线，它均匀分散在SiC陶瓷预制体之...
陈建军刘东旭曾凡孔文龙
制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法
本发明公开了一种制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法。该方法以酚醛树脂为反应体系的单一碳源，同时采用酚醛树脂为包覆碳源，对SiC纳米线进行表面改性，形成碳包覆SiC纳米线，它均匀分散在SiC陶瓷预制体之...
陈建军刘东旭曾凡孔文龙
文献传递
Ni3S2/SiC复合电极的制备及光电催化性能研究被引量：3
2016年
采用电沉积法在碳化硅纳米线薄膜上沉积镍硫合金,制备碳化硅纳米线/镍硫合金薄膜复合电极,采用 场发射扫描电子显微镜（ FESEM）、 X射线衍射（ XRD）、阴极极化曲线（LSV）等分析测试方法对该薄膜的形貌、结构 和电化学性能进行了表征.结果表明：镍硫合金沉积层主要以Ni3S2 结晶态的形式覆盖在碳化硅纳米线薄膜表面,纳米线沉积合金前直径约80 nm ,沉积后增大到100nm左右.重点研究了Ni3S2/SiC 电极在光照前后的光电性能, 在1MKOH 溶液中的LSV曲线测试表明： Ni3S2/SiC 电极的起始电压比SiC 电极减小约200mV ;在光照下Ni3S2/ SiC电极起始电压比无光照下降低约400mV （电流密度为9 mA·cm^-2）,计时电位曲线测试表明电极具有很好的稳定性.
柳兆祥廖欣丁丽娟曾凡陈建军
关键词：碳化硅纳米线光电催化
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