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侯志斌

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
发文基金:陕西省教育厅规划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇钝化
  • 1篇少子寿命
  • 1篇势垒
  • 1篇稳定性
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇抗氧化
  • 1篇抗氧化性
  • 1篇SI(100...

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇李碧珊
  • 1篇杨莺
  • 1篇陈进
  • 1篇李峰
  • 1篇邢青青
  • 1篇侯志斌

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究被引量:2
2014年
基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究。对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV。少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强。
李峰杨莺李碧珊陈进邢青青侯志斌
关键词:肖特基势垒少子寿命稳定性抗氧化性
共1页<1>
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