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陈国新

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学性能
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇CVD生长
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇詹肇麟
  • 1篇江南
  • 1篇陈彩云
  • 1篇戴丹
  • 1篇陈国新

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
绝缘衬底对CVD生长石墨烯的影响研究进展
2015年
石墨烯自从2004年问世之后,由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起了各界的关注。石墨烯独特的电学性能使其有望替代硅成为下一代半导体工业的主角。然而要实现石墨烯电子器件的构建,必须先解决在绝缘或半导体衬底上直接制备石墨烯的难题。综述了近几年不同绝缘衬底对化学气相沉积法制备石墨烯所产生的影响,分析比较了不同绝缘衬底的优缺点,并展望了石墨烯的发展及应用前景。
陈彩云戴丹陈国新巩金瑞江南詹肇麟
关键词：石墨烯电学性能绝缘衬底
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