范朋伟
- 作品数：7 被引量：24H指数：4
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 高品质金刚石厚膜的微波等离子体CVD沉积技术
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石厚膜的各种方法之中，高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高，同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好，因而一直是制备高品质金刚石厚膜的首选方法。在世界...
- 唐伟忠于盛旺范朋伟李义锋苏静杰刘艳青
- 关键词：MPCVD高功率
- 高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状被引量：12
- 2012年
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍。首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。
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- 椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积被引量：6
- 2011年
- 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为9 kW,沉积压力为1.7×104 Pa和不同的气体流量条件下制备了金刚石膜。利用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,利用椭球谐振腔式MPCVD装置能够在较高的功率下进行大面积金刚石膜的沉积;在高功率条件下,较高质量的金刚石膜的沉积速率可以达到4～5μm.h-1的水平,而气体的流量则会显著影响金刚石膜的品质及其沉积速率。
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- 关键词：金刚石膜高功率气体流量生长速率
- 新型MPCVD装置在高功率密度下高速沉积金刚石膜被引量：9
- 2011年
- 使用自行研制的新型MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为5kW,沉积压力分别为13.33、26.66kPa和不同的甲烷浓度下制备了金刚石膜。利用等离子体发射光谱法对等离子体中的H原子和含碳的活性基团浓度进行了分析。用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,使用新型MPCVD装置能够在较高的功率密度下进行金刚石膜的沉积;提高功率密度能使等离子体中H原子和含碳活性基团的浓度明显增加,这将提高金刚石膜的沉积速度,并保证金刚石膜具有较高的质量。
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- 关键词：金刚石膜功率密度生长速率
- 高品质金刚石厚膜的微波等离子体CVD沉积技术
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石厚膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石厚膜的首选方法。在世界...
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- 关键词：高功率
- 文献传递
- 不同压力下硬质合金表面微波等离子体化学气相沉积SiC涂层规律性的研究被引量：4
- 2011年
- 以氢气和四甲基硅烷作为先驱气体,采用微波等离子体化学气相沉积法,不同沉积压力条件下、在YG6硬质合金表面制备了的SiC涂层。利用SEM、EDS、XRD、划痕测试法对SiC涂层的表面形貌、相组成和附着力进行了分析。实验结果表明,在较低的压力下,SiC涂层为胞状的纳米团聚物,且胞团的尺度随压力的升高而变小;随着压力的升高,胞状SiC开始并最终全部转变为片层状SiC,并在此过程中伴随着颗粒状Co2Si的形成与长大;随着压力的继续升高,片层状SiC开始转变为须状SiC。胞状SiC向片层状SiC的转变会使涂层致密度提高,而涂层对硬质合金衬底的附着力也会随之增强;Co催化作用的上升引起的片层状SiC向须状SiC的转变会导致SiC涂层的附着力明显降低。以具有片层状特征的SiC作为过渡层,可在未经去Co酸蚀预处理的硬质合金衬底上制备出具有较好附着力的金刚石涂层。
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- 关键词：SIC涂层硬质合金金刚石涂层
- 高功率MPCVD金刚石膜红外光学材料制备研究
- 本文使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置，以H_2-CH_4为气源，就高功率条件下CH_4浓度对金刚石膜的生长速率和品质的影响规律进行了研究，并在此基础上进行了大面积光学级金刚石膜的沉积。利用扫描电镜、激光拉曼谱仪、...
- 于盛旺黑鸿君刘艳青李义锋范朋伟唐伟忠
- 关键词：红外材料金刚石膜气相沉积
