冯波
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- CdSiP_2多晶提纯与单晶生长
- 2018年
- 采用重结晶技术,对CdSiP_2多晶进行快速下降提纯,以提纯后的晶锭为原料,利用改进的垂直布里奇曼法生长出CdSiP_2单晶体,尺寸达Φ18 mm×51 mm。经能量色散仪(EDS),X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)以及电感耦合等离子体光谱仪(ICP)测试表明,重结晶提纯能有效降低CdSiP_2多晶中Fe、Mn等影响晶体性能的微量元素含量,获得高纯四方黄铜矿结构的CdSiP_2多晶材料。采用X射线衍射仪和红外傅立叶变换分光光度计分别对生长的CdSiP_2单晶体自然解理面与厚度2 mm的CdSiP_2晶片进行测试,获得了{101}晶面族六级衍射峰,晶片在2~7μm波段范围的红外透过率高于53%,对应的吸收系数低于0.09 cm-1。上述研究结果表明,采用提纯后原料生长的CdSiP_2单晶体结晶性好,光学性能优良,可进一步用于制作CdSiP_2激光频率转换器件。
- 冯波赵北君何知宇陈宝军黄巍刘慧刘梦迪沙铭宇
- 关键词：提纯单晶生长ICP-AES
- ZnGeAs_2多晶合成与表征
- 2017年
- ZnGeAs_2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs_2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs_2多晶合成方法。以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs_2多晶。经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs_2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比。上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs_2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs_2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础。
- 钟义凯赵北君何知宇黄巍陈宝军朱世富杨登辉冯波
- 关键词：多晶合成
- 量子点CuInS_2晶体的近红外光学性质研究
- 2019年
- 利用密度泛函理论,对CuInS_2量子点晶体进行光学性质预测,得到CuInS_2晶体的理想禁带宽度为1. 08 eV,属于直接带隙半导体.同时计算了材料介电常数,折射系数,吸收系数及光损耗系数谱图.结合图谱分析,明确了CuInS_2量子点晶体位于波长范围750～1 500 nm表现出很好的透光性能.量子点CuInS_2晶体可能成为一种潜在的近红外成像示踪材料.本文拟使用CuInS_2量子点晶体标记纳米粒子,实现示踪的效果.
- 刘慧刘慧余蓉敬小丽黄巍
- 关键词：量子点光学性质
