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范云

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇第三代半导体
  • 1篇电子器件
  • 1篇热导率
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇功率电子
  • 1篇功率电子器件
  • 1篇高热导率
  • 1篇半导体
  • 1篇半绝缘

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇徐伟
  • 1篇王利忠
  • 1篇王英民
  • 1篇魏汝省
  • 1篇范云
  • 1篇张磊
  • 1篇李斌

传媒

  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
15.24cm(6英寸)高纯半绝缘4H-SiC单晶生长被引量：1
2016年
SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微电子器件和工作在高温、高频、高压、大功率和强辐射等极端条件下功率电子器件[1-3]。基于SiC单晶衬底制备的GaN/SiCHEMT微波器件主要应用于军事领域,为了克服与衬底材料有关的寄生电容引起的信号损失,必须采用绝缘或者半绝缘衬底,
王英民魏汝省李斌徐伟王利忠范云张磊
关键词：半绝缘单晶生长功率电子器件微电子器件高热导率第三代半导体
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共1页<1>
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