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李幸和

作品数：11 被引量：10H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 4篇抗辐射
  • 4篇反熔丝
  • 4篇高可靠
  • 2篇电子领域
  • 2篇栅极
  • 2篇旁路二极管
  • 2篇微电子领域
  • 2篇逻辑器件
  • 2篇抗辐射性
  • 2篇可编程逻辑
  • 2篇可编程逻辑器...
  • 2篇编程
  • 2篇PMOS管
  • 1篇电路
  • 1篇电气性能
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇信息化
  • 1篇氧化铝薄膜
  • 1篇氧化物

机构

  • 11篇中国电子科技...
  • 2篇东南大学

作者

  • 11篇李幸和
  • 5篇刘国柱
  • 3篇魏敬和
  • 2篇于宗光
  • 2篇唐路
  • 1篇陈杰
  • 1篇赵金茹
  • 1篇许生根
  • 1篇李俊
  • 1篇蒋大伟

传媒

  • 5篇电子与封装
  • 1篇中国储运

年份

  • 8篇2023
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种改善氧化物中掺杂浓度的方法
本发明公开一种改善氧化物中掺杂浓度的方法，属于半导体器件技领域。本发明的方法包括构建含B或P原子掺杂的α‑SiO<Sub>2</Sub>晶体结构，并进行B或P原子掺杂的吉布斯形成能计算；通过改变α‑SiO<Sub>2</...
魏轶聃李幸和刘国柱魏敬和赵伟汤偲愉刘勇魏应强隋志远刘美杰周颖
一种高可靠反熔丝开关单元结构
本发明公开一种高可靠反熔丝开关单元结构，属于微电子领域，包括第一反熔丝器件、第二反熔丝器件、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、旁路二极管、信号传输NMOS管；通过所述第一反熔丝器件/所述第二反熔...
李幸和刘国柱魏轶聃刘佰清于宗光魏敬和
基于互感开关变压器的毫米波宽带数控振荡器被引量：1
2023年
为满足宽频带、高性能的要求,设计了一款V波段毫米波宽带数控振荡器(DCO)。采用基于互感开关变压器的电感调谐技术,通过互感开关控制一组耦合变压器实现双模切换,输出低频子带或高频子带,从而实现宽带设计。采用离散电压控制可变电容器实现离散电容器调谐,与开关电容相比降低了寄生电容和损耗,能够实现更大的带宽和良好的相位噪声。电路基于40 nm CMOS工艺设计,核心芯片面积仅为0.053 mm^(2)。频率调谐范围为57.85~72.30 GHz,1 MHz频偏处相位噪声范围为-95.32~-91.07 dBc/Hz。
李幸和唐路白雪婧
关键词：毫米波数控振荡器宽带
变频共电串扰对PCM测试的影响被引量：1
2015年
PCM即Parameter Control Monitor(参数监控)的简称,是半导体制程工艺必备的最后一道工序,主要作用是通过电学参数测试的分析对在线工艺及产品的质量进行监控,以发现一些潜在或已发生的工艺或设备异常,为异常的分析和解决提供详细的参数信息,保证在线工艺和设备的稳定,为客户提供高品质的半导体产品。遵循摩尔定律的集成电路行业发展迅速,制造工艺越来越复杂,目前一般都需要上百道制作工序,必须要保证每道工序都处于受控状态,这给PCM测试带来了巨大的挑战和压力。随着芯片尺寸越来越小,测试用电压电流的精度要求很高,对PCM的自动测试系统来说,要求能监测到f A级别的漏电流,在实际应用过程中不可避免会遭遇一些困难,比如环境温湿度超标、接地不够良好、光照影响、环境洁净度差等都会引起测试的波动。主要讨论在测试过程中,共电串扰产生的测试异常及问题的解决过程。
李幸和蒋大伟陈培仓
关键词：变频串扰温湿度
一种高可靠抗辐射反熔丝开关单元结构
本发明公开一种高可靠抗辐射反熔丝开关单元结构，属于微电子集成电路领域。第一反熔丝器件的下极板与第一高压PMOS管的漏端相连，第二反熔丝器件的下极板与第二高压PMOS管的漏端相连；第一高压pMOS管的源端、第二高压pMOS...
李幸和刘国柱魏轶聃
接触孔关键尺寸测量研究与工序能力提高
2016年
在集成电路制造业,对关键层次的CD(Critical Dimension,关键尺寸)测量是控制质量的重要手段。广泛采用统计过程控制SPC(Statistical Process Control)系统来控制工艺稳定性。介绍了扫描电镜的基本工作原理和常见问题,通过增加dummy site及选择测量位置的方法降低充电效应,以提高测量图形质量和CD测量精度。利用方差分析优化测量设备参数,并利用回归分析的方法对不同测量机台进行匹配,最终达到R^2=0.99,实现了不同测试机台的匹配,提高了孔层次的CPK(Process capacity index,工序能力指数)。这种工程技术和统计学结合的匹配优化方法还可以进一步扩展到其他相同属性不同类型的测量机台的数据匹配上。
李幸和
关键词：集成电路方差分析
ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用被引量：7
2013年
硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。
陈杰李俊赵金茹李幸和许生根
关键词：深槽介电特性原子层沉积
一种高可靠反熔丝开关单元结构
本发明公开一种高可靠反熔丝开关单元结构，属于微电子领域，包括第一反熔丝器件、第二反熔丝器件、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、旁路二极管、信号传输NMOS管；通过所述第一反熔丝器件/所述第二反熔...
李幸和刘国柱魏轶聃刘佰清于宗光魏敬和
基于40 nm CMOS工艺的全数字锁相环的I^(2)C接口设计
2023年
基于40 nm CMOS工艺设计了一款I2C接口模块,该模块用于全数字锁相环(ADPLL)的测试与应用场景,能够输出锁相环控制字或将控制字写入锁相环内部。按照ADPLL的功能需求将接口划分为系统模块,根据ADPLL的系统特点设计了对应的时序控制模块,实现了控制字数据的读写功能。通过Verilog HDL对系统完成行为级描述,利用脚本自动化设计,能够大幅节省设计时间,易于集成到系统中。实际测试结果表明,该I^(2)C接口模块能够对ADPLL相应控制端写入控制字,依照I2C串行总线协议与外部微控制器通信,可同时实现对ADPLL控制和监测的功能,满足测试与应用需求。
李幸和唐路万世松
关键词：全数字锁相环
国企采购管理模式的发展以及创新被引量：1
2023年
随着中国国企生产管控方法的持续变革,中国国企生产模式技术创新的被重视程度持续增加,精细化管理手段、数字化模型均处于现阶段行业关心重点,本章主要围绕企业精细化的购买模型与企业信息化的购买模型进行了探讨,并期望研究内容可以为国家的购买模式创新发展提供一些启示。
邵红李幸和
关键词：中国国企企业信息化管控方法技术创新
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