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方运

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:表面物理与化学重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域:理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇输运
  • 2篇输运性质
  • 1篇单晶
  • 1篇导体
  • 1篇电子结构
  • 1篇铁基超导体
  • 1篇助熔剂
  • 1篇助熔剂法
  • 1篇子结构
  • 1篇USB
  • 1篇FESE
  • 1篇超导
  • 1篇超导薄膜
  • 1篇超导体
  • 1篇磁化率

机构

  • 2篇表面物理与化...

作者

  • 2篇赖新春
  • 2篇谭世勇
  • 2篇方运
  • 1篇谢东华
  • 1篇张文
  • 1篇刘琴
  • 1篇袁秉凯
  • 1篇刘毅
  • 1篇张云
  • 1篇冯卫

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
FeSe超导薄膜的研究进展被引量:2
2016年
FeSe及其相关化合物的高温超导性引起了凝聚态物理研究人员的广泛关注。在所有铁基超导体中,FeSe的成分和晶体结构最为简单,只存在铁基超导体最基本的结构单元FeSe层。FeSe超导体具有特殊的电子结构和物理特性,是铁基高温超导机制研究的理想平台。2012年,薛其坤组在SrTiO_3(STO)衬底表面采用分子束外延(MBE)法生长了单层FeSe薄膜,发现该体系的超导转变温度(TC)有接近80K的迹象,引起人们的广泛关注。先简要地介绍了FeSe晶体,FeSe/石墨烯薄膜的超导特性,再详细介绍了FeSe/SrTiO_3高温超导薄膜的输运性质、超导特性、电子结构以及可能影响单层FeSe/SrTiO_3薄膜高温超导的几个因素。
方运谭世勇赖新春
关键词:铁基超导体电子结构输运性质
USb_2单晶的生长、磁性和输运性质研究
2016年
采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb_2单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热容等性质。研究表明,中等关联强度的USb_2中的5f电子具有巡游和局域双重特征。USb_2中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构。在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化。在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙。在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响。
谢东华赖新春谭世勇张文刘毅冯卫张云刘琴朱燮刚袁秉凯方运
关键词:助熔剂法磁化率输运性质
共1页<1>
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