张大庆
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 供职机构：总参谋部更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究被引量：4
- 2014年
- 通过对In_xGa_(1-x)N掺杂不同组份的In来改变In_xGa_(1-x)N的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系、通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系、分析结果表明:1)In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系。2)在电流密度较低时,In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大、3)在电流密度较大时,In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大、4)光谱蓝移与电流密度大小紧密相关,电流密度大的蓝移程度大,反之越小、因此,应根据不同的电流密度来选择In组份的大小,从而提高发光效率、
- 张大庆李国斌陈长水
- 关键词：光电子学INGANGAN发光二极管
