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薛若时

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇相变
  • 2篇内耗
  • 2篇GE2SB2...

机构

  • 2篇南京大学

作者

  • 2篇朱劲松
  • 2篇胡大治
  • 2篇吕笑梅
  • 2篇薛若时

传媒

  • 1篇上海交通大学...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗
2010年
采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变的温度范围内,出现了与相变有关的内耗峰P1和P2,其峰位置与升温速率有关且满足Kissinger关系;内耗峰P1和P2的相变激活能分别为(1.91±0.19)和(3.38±0.33)eV.
胡大治薛若时吕笑梅朱劲松
关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗
Ge2Sb2Te5薄膜相变的内耗
采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方...
胡大治薛若时吕笑梅朱劲松
关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗
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