翟影
- 作品数：2 被引量：10H指数：2
- 供职机构：天津大学理学院更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Li掺杂对ZnO薄膜的晶体结构和光学性能的影响被引量：7
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Li∶ZnO薄膜,并且利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)、荧光光谱仪(PL)多种测试手段研究了不同掺锂浓度对ZnO薄膜的结构形貌、晶格常数、禁带宽度以及光致发光的影响。结果显示,Li的掺入导致ZnO薄膜的晶格常数减小,同时禁带宽度也减小。光致发光谱表明,掺Li后的ZnO薄膜的可见光发光峰由绿光发光峰和黄光发光峰组成,并且发生红移。我们认为,黄光发射可能是电子由单电离氧空位VO+到缔合缺陷LiZnVO的跃迁引起的,并且提出了缔合缺陷LiZnVO的结构模型。
- 刘雅丽阮永丰翟影张灵翠邱春霞
- 关键词：LIZNO薄膜溶胶-凝胶法禁带宽度光致发光
- ZnO纳米棒的电致发光研究被引量：3
- 2014年
- 采用化学浴沉积法在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnO纳米棒膜层,构建了无绝缘层和添加Alq3为绝缘层的两类ZnO发光器件,测试和比较了两类器件的光致发光与电致发光特性。结果表明,在ZnO和Alq3混合体系的PL谱中,观察到ZnO的380 nm发光减弱而Alq3的520 nm发光增强,这表明在ZnO的激子态和Alq3分子之间发生了能量转移。ZnO纳米棒的EL谱表现为随机激光,这主要是由于光在纳米棒内谐振,及纳米棒长短不一、阵列不整齐所致。加入Alq3后,器件的I-V曲线上出现了约为1.6 V的阈值电压,工作电压由30 V降为18 V,且器件的发光颜色由黄绿区移到蓝紫区。
- 翟影阮永丰张灵翠刘雅丽邱春霞
- 关键词：ZNO纳米棒电致发光随机激光
