游智星
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究(英文)
- 2007年
- 在集成电路芯片制造中,激光被广泛应用于缺陷扫描或者相关的光学量测工具中。未见报道低功率的缺陷扫描时,输出功率仅数百毫瓦且扫描速度很快时,会对熔点达1420℃上的硅芯片造成影响,在制造中以Compass为代表的缺陷扫描工具被广泛而无顾虑地应用在芯片制造中。然而通过在动态储存器制造中的一个低良率事件,介绍了缺陷扫描及动态储存器的基本原理,并指出在378mW输出功率时,缺陷扫描能将电容表面硅重熔,导致电容结构被破坏。通过试验、计算指出输出功率≤100mW是安全使用功率,为芯片制造业界提供了关于表面材料为硅、氧化硅、氮化硅使用指南,避免了因Compass为代表的缺陷扫描工具广泛应用带来的额外损伤,并为以后的芯片激光快速热处理研究提供了损伤研究依据。
- 彭坤游智星
- 关键词：激光
