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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇压电
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇外场
  • 1篇PFM
  • 1篇BNT
  • 1篇BT

机构

  • 1篇上海理工大学

作者

  • 1篇祝元坤
  • 1篇王现英
  • 1篇詹科
  • 1篇苏敏
  • 1篇袁琪
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
BNT-KBT-BT薄膜的制备及外场下电畴翻转
2016年
采用金属有机物热分解法在Pt/Ti/Si O2/Si基底上制备了0.85(Bi0.5Na0.5)Ti O3-0.10(K0.5Bi0.5)Ti O3-0.05Ba Ti O3(85BNT-10KBT-5BT)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描探针显微镜(SEM)、压电力显微镜(PFM)等对薄膜的结构和外场下的电畴演变进行了表征及研究。结果表明,该薄膜微观结构主要由钙钛矿相和少量的焦绿石相组成,表面无明显裂纹和孔洞,其最大压电系数d33=150 pm/V;通过PFM观察到在电场作用下,其电畴可实现180°翻转,在力场作用下其电畴可实现90°翻转,并结合微观结构对电畴在外场下的演变机理进行了研究。该研究为铁电薄膜在MEMS中的应用提供了参考。
苏敏袁琪王伟詹科王现英祝元坤
关键词:PFM压电性能
共1页<1>
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